公开(公告)号：CN1280707A

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN98811697.9

申请日：1998-08-14

Applicant: 住友特殊金属株式会社 ,  春山俊一

Inventor： 春山俊一 ,  山下治 ,  贞富信裕 ,  西乡恒和

IPC: H01L35/14 ,  H01L21/44 ,  H01L35/34 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01B1/04 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/49883 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5328 ,  H01L35/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。

公开(公告)号：CN1300446A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800502.8

申请日：2000-03-10

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 贞富信裕 ,  山下治 ,  西乡恒和 ,  能见正夫

IPC: H01L35/14

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 硅基热电转换材料和热电转换元件,其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Seebeck系数和电导率,这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组成的晶粒,其中至少一种添加元素淀积在晶粒边界处,结果得到了极大的Seebeck系数和低的热导率,使热电转换速率显著增大,并且硅基热电转换材料主要由硅组成,硅是丰富的资源,几乎不会带来环境污染的问题。例如,向硅基热电转换材料添加碳、锗或锡能使热导率显著降低而不会改变硅基材料的载流子浓度。对于降低热导率,5—10原子%的掺杂量是理想的,且如果为产生p型或n型半导体而加入添加元素和在多晶硅的晶粒边界淀积了Ⅳ族元素,则所得的p型或n型半导体的载流子浓度为1017－1021(M/m3),热导率为50W/m·K或更小。

公开(公告)号：CN1447354A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03101664.2

申请日：1999-03-23

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 槙田显 ,  山下治

IPC: H01F1/00 ,  C22C38/00

CPC classification number: H01F1/0575 ,  H01F1/055 ,  H01F1/057 ,  H01F41/0253

Abstract: 一种永久磁体，其中铁磁性相与晶界相匹配。一种永久磁体，其中主相最外层附近的磁晶各向异性等同于内部的磁晶各向异性强度，以便抑制反向磁畴的形核。提供了一种高磁性能永久磁体的设计指南。

公开(公告)号：CN1443357A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN01813148.4

申请日：2001-07-30

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  槙田显

IPC: H01F10/12 ,  H01F1/04 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01F10/3222 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/00 ,  C23C14/16 ,  H01F10/007 ,  H01F10/126 ,  H01F10/28 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/302 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/12937 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/32 ,  Y10T428/325

Abstract: 本发明之目的在于，提供一种可以使利用气相生长形成的薄膜在层叠方向上各向异性化的薄膜稀土族永久磁铁及其制造方法，通过在具有平面平滑性的非磁性材料的基片1上层叠稀土族元素的单原子层10后，多次重复原子层叠体单元13的形成操作，层叠多个构成特性的原子层叠体单元13，其中，该单元13是通过层叠设置层叠了多层过渡金属元素的单原子层11的过渡金属元素的原子层叠体12形成的，从而使各原子层叠体12在单原子层11的层叠方向上具有易磁化轴，并且抑制被稀土族元素的单原子层10，10夹着的抗磁区的产生，使产生强矫顽力，而且通过提高过渡金属元素对稀土族元素的含有比率，使残余磁通密度有了飞越性提高。

公开(公告)号：CN1162920C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN98811689.8

申请日：1998-08-05

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  贞富信裕 ,  西乡恒和

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/49883 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5328 ,  H01L35/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括通过将各种杂质添加到Si中而获得的一种p-型半导体或者一种n-型半导体的一种新的、硅基热电转换材料。本发明的材料是载流子浓度是1017到1020M/m3、并且包括Si和0.001-0.5原子%的Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In，Tl中的一种或者多个元素，或N，P，As，Sb，Bi，O，S，Se，Te中一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体，本发明的另一种材料是载流子浓度是1019到1021(M/m3)、并且包括Si和含量的原子百分比是0.5原子%到10原子%的上述元素中的一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体。

公开(公告)号：CN1136681C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN98115543.X

申请日：1998-07-01

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  川上诚 ,  西乡恒和

IPC: H04B13/00

CPC classification number: H04B13/00

Abstract: 一种向量电势产生方法、能量传播系统、以及通信系统，使用向量电势来传播能量，并把向量电势作为信号传播媒体进行通信。发射装置具有在两个端面设置了电极的介质，当根据传播信号而被调制的交流电压加到这些电极上时，介质就产生向量电势。把所产生的向量电势经无线线路发送到接收装置。接收装置具有磁传感器，利用磁传感器检测出由传播来的向量电势所产生的磁场，并从该检测结果得到传播信号。

公开(公告)号：CN1122287C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN96190684.7

申请日：1996-06-25

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  岸本芳久 ,  高桥涉 ,  平石信茂 ,  桥正好行 ,  大北雅一

IPC: H01F41/02

CPC classification number: H01F1/0557 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0273

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以很容易获得用于制造具有优良磁特性的稀土系烧结磁铁所需要的造粒粉、在抑制稀土系合金粉末和粘合剂反应、降低烧结后烧结体的残留氧量、残留碳量的同时谋求成形时粉体流动性好、润滑性提高、成形体尺寸精度提高和生产率提高，从而可获得薄壁形状或复杂形状并具有优良磁特性的R-Fe-B系和R-Co系等稀土类烧结磁铁的制造方法，它是在稀土系合金粉末中添加粘合剂混炼成浆状，经喷雾干燥装置制成造粒粉，用该造粒粉通过成形、烧结的粉末治金法制得稀土系烧结磁铁。

公开(公告)号：CN1113463A

公开(公告)日：1995-12-20

申请号：CN94120449.9

申请日：1994-12-27

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  西乡恒和 ,  小原公一 ,  北山宏和 ,  桥川博司

IPC: B22F1/00 ,  B01J2/04 ,  H01F1/06

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F1/0096 ,  B22F2999/00 ,  H01F1/0551 ,  H01F1/0571 ,  B22F9/026

Abstract: 本发明的目的是提供粒状粉末的制造方法和设备，其中R-Fe-B类或R-Co类含稀土的合金粉末与粘结剂之间的反应得以控制，烧结后烧结产品中氧和碳的残留量降低，由此可以获得成型时具有良好的粉末流动性和润滑性的各向同性或各向异性粒状粉末。

公开(公告)号：CN1099468C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN99801041.3

申请日：1999-05-28

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  槇田显 ,  能见正夫 ,  西乡恒和

IPC: C21D8/12 ,  C22C38/00 ,  C22C33/02 ,  C22C33/04

CPC classification number: C22C33/0278 ,  B22F3/162 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D8/1233 ,  C21D8/1272 ,  C22C33/0207 ,  C22C33/0257 ,  C22C38/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/18 ,  B22F3/26 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24 ,  C23C10/00

Abstract: 通过轧制硅含量在3wt%以上的硅钢板制备森达斯特铁硅铝磁性合金钢薄板的方法及所述的合金钢薄板，包括：作为初始原料，使用平均晶粒粒径为300μm以下板状烧结体或急冷钢板，或者使用将纯Fe粉末和Fe-Si粉末以一定比例配合的混合粉而制成的板状烧结体，使烧结体中残存富Fe相。在过去，轧制这类高硅钢板和森达斯特铁硅铝磁性钢板认为是不可能的。还公开了一种事先添加非磁性金属元素如Ti的方法，这导致富铁相和富硅相易子固溶，而且能够促进晶粒成长，从而提供具有优异磁性能的硅钢薄板。公开了一种制备具有优异磁性能的森达斯特铁硅铝磁性合金钢薄板的方法，包括在该硅钢板的两面沉积铝并进行热处理，由此使铝扩散浸透到该薄板的内部，并增大晶粒直径。

公开(公告)号：CN1251689A

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN98803775.0

申请日：1998-12-24

Applicant: 住友特殊金属株式会社

Inventor： 山下治 ,  贞富信裕

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/08 ,  H01L35/04

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/22

Abstract: 一种热电元件,它包含由新型硅基热电材料制成的P型半导体、与P型半导体一起形成PN结的N型半导体、以及用键合金属键合到半导体的引线。PN结以及半导体与引线之间的键合,被设计成产生高的热电动势。Ag、Al或银焊料中的任何一个或它们的合金,被用来形成掺有某些元素的硅基P型半导体与N型半导体之间的键合,Zn、Ni、Cu、Ag、Au中的任何一个或它们的合金,被用来将引线键合到半导体上,从而能够提供高效率的热电元件。