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公开(公告)号：CN1280707A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN98811697.9
申请日：1998-08-14
Applicant: 住友特殊金属株式会社 , 春山俊一
CPC classification number: H01L35/22 , H01B1/04 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。
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公开(公告)号：CN1300446A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800502.8
申请日：2000-03-10
Applicant: 住友特殊金属株式会社
IPC: H01L35/14
Abstract: 硅基热电转换材料和热电转换元件,其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Seebeck系数和电导率,这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组成的晶粒,其中至少一种添加元素淀积在晶粒边界处,结果得到了极大的Seebeck系数和低的热导率,使热电转换速率显著增大,并且硅基热电转换材料主要由硅组成,硅是丰富的资源,几乎不会带来环境污染的问题。例如,向硅基热电转换材料添加碳、锗或锡能使热导率显著降低而不会改变硅基材料的载流子浓度。对于降低热导率,5—10原子%的掺杂量是理想的,且如果为产生p型或n型半导体而加入添加元素和在多晶硅的晶粒边界淀积了Ⅳ族元素,则所得的p型或n型半导体的载流子浓度为1017－1021(M/m3),热导率为50W/m·K或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1251689A
公开(公告)日：2000-04-26
申请号：CN98803775.0
申请日：1998-12-24
Applicant: 住友特殊金属株式会社
Abstract: 一种热电元件,它包含由新型硅基热电材料制成的P型半导体、与P型半导体一起形成PN结的N型半导体、以及用键合金属键合到半导体的引线。PN结以及半导体与引线之间的键合,被设计成产生高的热电动势。Ag、Al或银焊料中的任何一个或它们的合金,被用来形成掺有某些元素的硅基P型半导体与N型半导体之间的键合,Zn、Ni、Cu、Ag、Au中的任何一个或它们的合金,被用来将引线键合到半导体上,从而能够提供高效率的热电元件。
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公开(公告)号：CN1122319C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN98803775.0
申请日：1998-12-24
Applicant: 住友特殊金属株式会社
Abstract: 一种热电元件，它包含由新型硅基热电材料制成的P型半导体、与P型半导体一起形成PN结的N型半导体、以及用键合金属键合到半导体的引线。PN结以及半导体与引线之间的键合，被设计成产生高的热电动势。Ag、Al或银焊料中的任何一个或它们的合金，被用来形成掺有某些元素的硅基P型半导体与N型半导体之间的键合，Zn、Ni、Cu、Ag、Au中的任何一个或它们的合金，被用来将引线键合到半导体上，从而能够提供高效率的热电元件。
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公开(公告)号：CN1280706A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN98811689.8
申请日：1998-08-05
Applicant: 住友特殊金属株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 包括通过将各种杂质添加到Si中而获得的一种p－型半导体或者一种n－型半导体的一种新的、硅基热电转换材料,这种热电转换材料有很好的成品率,并且其价格低,具有稳定的质量和高的性能指数。一般来说,当各种元素被添加到Si中时,随着载流于浓度的增加,这种材料的Seebeck系数减小,直到载流于浓度超过1018(M/m3),并且当载流于浓度在1018到1019M/m3内时可以获得一种最小的Seebeck系数。本发明的材料是载流于浓度是1017到1020M/m3、并且包括Si和0.001－0.5原子%的Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Hg,B,Al,Ga,In,Tl中的一种或者多个元素,或N,P,As,Sb,Bi,O,S,Se,Te中一种或者多个元素的一种p－型半导体或者一种n－型半导体,本发明的另一种材料是载流子浓度是1019到1021(M/m3)、并且包括Si和含量的原子百分比是0.5原子%到10原子%的上述元素中的一种或者多个元素的一种p－型半导体或者一种n－型半导体。
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公开(公告)号：CN1162920C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN98811689.8
申请日：1998-08-05
Applicant: 住友特殊金属株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 包括通过将各种杂质添加到Si中而获得的一种p-型半导体或者一种n-型半导体的一种新的、硅基热电转换材料。本发明的材料是载流子浓度是1017到1020M/m3、并且包括Si和0.001-0.5原子%的Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In，Tl中的一种或者多个元素，或N，P，As，Sb，Bi，O，S，Se，Te中一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体，本发明的另一种材料是载流子浓度是1019到1021(M/m3)、并且包括Si和含量的原子百分比是0.5原子%到10原子%的上述元素中的一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体。
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公开(公告)号：CN1196208C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN98811697.9
申请日：1998-08-14
CPC classification number: H01L35/22 , H01B1/04 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 在室温下，其电阻率为10-3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料，而且还能够进行生产并且进行处理，这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素，可以获得电阻率为10-6(Ω.m)或者更低的导电材料，这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术，可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状，一种棒状，或者一种线状，而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状，它可以用于很多需要导电的应用中，包括需要一种导电片材料的应用中。
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