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公开(公告)号：CN116157258A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180058880.6
申请日：2021-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: B32B15/01
Abstract: 复合材料具有多个第一层和多个第二层。第一层和第二层的数量的合计为5以上。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿着复合材料的厚度方向交替地层叠。第一层由以铜作为主要成分的金属材料形成。第二层具有钼板和铜填料。钼板包含厚度方向上的端面即第一面和第二面以及从第一面朝向第二面贯通钼板的多个开口部。铜填料配置在开口部的内部。位于第一表面的第一层的厚度为0.025mm以上且为复合材料厚度的30％以下。与位于第一表面的第一层接触的第二层的厚度为0.05mm以上且为复合材料的厚度的35％以下。
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公开(公告)号：CN106164016B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201580019472.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN109476549A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044470.X
申请日：2017-02-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
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公开(公告)号：CN101842179B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980100873.7
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C28/044 , C23C28/048 , C23C28/42 , C23C30/005 , Y10T407/27 , Y10T409/30308 , Y10T428/24942 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的表面被涂敷的切削工具包含基材和在该基材上形成的涂层，所述涂层是厚度大于或等于10μm的物理气相沉积层。从所述涂层的表面起算的厚度为1μm的表面区域具有其中累积残余应力为压应力的第一区域和其中累积残余应力为拉应力的第二区域，并且在所述表面区域内的所有区域中，所述表面区域的累积残余应力均在-1.5GPa至1.5GPa的范围内。
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公开(公告)号：CN116648315A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180087005.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
IPC: B21B3/00
Abstract: 本发明的复合材料为板状，具有第一表面和第二表面。第二表面是第一表面的相反面。复合材料具有多个第一层和至少一个第二层。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿复合材料的厚度方向交替层叠。第一层是包含铜的层。第二层是含浸有铜的钼粉末压坯的层。作用于位于第一表面的第一层以及位于第二表面的第一层的压缩残余应力为50MPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105899472A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN103875077A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101842179A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200980100873.7
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C28/044 , C23C28/048 , C23C28/42 , C23C30/005 , Y10T407/27 , Y10T409/30308 , Y10T428/24942 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的表面被涂敷的切削工具包含基材和在该基材上形成的涂层，所述涂层是厚度大于或等于10μm的物理气相沉积层。从所述涂层的表面起算的厚度为1μm的表面区域具有其中累积残余应力为压应力的第一区域和其中累积残余应力为拉应力的第二区域，并且在所述表面区域内的所有区域中，所述表面区域的累积残余应力均在-1.5GPa至1.5GPa的范围内。
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公开(公告)号：CN110312691B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780086594.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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公开(公告)号：CN109906211B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780067435.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。
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