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公开(公告)号：CN116917723A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202180094944.8
申请日：2021-04-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明的数据解析装置具有：输入部，其从测定光电子信号的光电子能谱装置接受光电子信号的测定值，光电子信号是利用光电子能谱从试样产生的；以及解析部，其使用将试样模型化为由多个层构成的层叠体时的光电子信号的理论值，通过将光电子信号的理论值与光电子信号的测定值之间的偏差平方和最小化来解析试样的深度分布，解析部在偏差平方和的最小化中，以满足试样的化学物质的相对浓度在层叠体的多个层之间平滑地变化的最大平滑条件的方式计算相对浓度。
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公开(公告)号：CN115003439A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080094683.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种切削工具，具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述石墨相的定向性为6以下。
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公开(公告)号：CN102414848B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080018398.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴( 轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115003439B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080094683.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种切削工具，具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述石墨相的定向性为6以下。
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公开(公告)号：CN115038539B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202080094637.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供特别是即使在用于切削软金属时也能够具有长的工具寿命的切削工具。该切削工具具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的密度为2.5g/cm3以上3.5g/cm3以下，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述非晶质相的平均配位数为2.5以上4以下。
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公开(公告)号：CN102414848A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018398.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴( 轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。
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公开(公告)号：CN118679284A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280091084.7
申请日：2022-09-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 本发明提供一种砷化镓单晶基板，其具有圆形的主表面，并且具有第一积分强度比或第二积分强度比。第一积分强度比和第二积分强度比能够基于规定的X射线光电子能谱法通过砷和镓的图谱求出。第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为砷化镓存在的镓元素的积分强度的比率，为12以下。第二积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为五氧化二砷存在的砷元素的积分强度与作为三氧化二砷存在的砷元素的积分强度的和的比率，为1.2以下。长径为0.16μm以上的颗粒的个数在每1cm2的主表面中为2个以下。
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公开(公告)号：CN115038539A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080094637.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供特别是即使在用于切削软金属时也能够具有长的工具寿命的切削工具。该切削工具具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的密度为2.5g/cm3以上3.5g/cm3以下，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述非晶质相的平均配位数为2.5以上4以下。
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