公开(公告)号：CN101821915B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980100642.6

申请日：2009-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田村充章 ,  樱井涉 ,  松原秀树 ,  年冈英昭 ,  中次恭一郎 ,  足立真宽 ,  奥田泰弘

IPC: H01S5/022 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4253 ,  G02B6/4255 ,  G02B6/4292 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01S5/02284 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是获得一种可以在将插芯安装到电路基板上之后插入光纤的组件。本发明提供一种光电转换组件(100)，其中，至少插芯(33)和电气部件(57)安装到已经安装有外部电极(63)的电路基板(35)上；在所述插芯(33)中在安装光电转换器件(31)的一个端面上的与光电转换器件(31)的活性层对应的位置形成光纤插孔；以及将插芯(33)的光电转换器件(31)电连接至电气部件(57)。在插芯(33)中，光纤插孔的面对光电转换器件(31)的一个端面的开口被透明物质(61)堵塞，并且光纤插孔的除了另一端面的部分被成型树脂(55)一体地覆盖。

公开(公告)号：CN102124578B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080001340.6

申请日：2010-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。

公开(公告)号：CN102025104A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010284406.9

申请日：2010-09-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN109219894B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201780033952.5

申请日：2017-02-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽

IPC: H01L35/26 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/06 ,  G01J1/02 ,  H01L21/205 ,  H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

Abstract: 本发明是为了在含有纳米粒子的热电材料中实现更好的热电特性。热电材料包含分散在具有带隙的第一材料和不同于第一材料的第二材料的混合体中的多个纳米粒子。第一材料含有Si和Ge。所述第二材料的原子浓度和Si对Ge的组成比满足下式(1)和(2)中的关系式，其中c表示所述热电材料中所述第二材料的原子浓度(单位为原子％)且r表示所述热电材料中Si对Ge的组成比：r≤0.62c‑0.25(1)；r≥0.05c‑0.06(2)。

公开(公告)号：CN102460866B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080026837.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  德山慎司 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  池上隆俊 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2004 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2302/00

Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。

公开(公告)号：CN101958511B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010228912.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。

公开(公告)号：CN102549860A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043448.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。

公开(公告)号：CN101984774A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200980104006.0

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN101821915A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200980100642.6

申请日：2009-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田村充章 ,  樱井涉 ,  松原秀树 ,  年冈英昭 ,  中次恭一郎 ,  足立真宽 ,  奥田泰弘

IPC: H01S5/022 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4253 ,  G02B6/4255 ,  G02B6/4292 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01S5/02284 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是获得一种可以在将插芯安装到电路基板上之后插入光纤的组件。本发明提供一种光电转换组件(100)，其中，至少插芯(33)和电气部件(57)安装到已经安装有外部电极(63)的电路基板(35)上；在所述插芯(33)中在安装光电转换器件(31)的一个端面上的与光电转换器件(31)的活性层对应的位置形成光纤插孔；以及将插芯(33)的光电转换器件(31)电连接至电气部件(57)。在插芯(33)中，光纤插孔的面对光电转换器件(31)的一个端面的开口被透明物质(61)堵塞，并且光纤插孔的除了另一端面的部分被成型树脂(55)一体地覆盖。

公开(公告)号：CN109643749B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN201780051235.5

申请日：2017-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之 ,  竹内恒博

IPC: H10N10/851 ,  C01B33/06

Abstract: 一种热电转换材料，其包含：基材，所述基材是半导体；和添加元素，所述添加元素不同于构成所述基材的元素。由所述添加元素形成的附加能带存在于所述基材的禁带内。相对于与所述基材的所述禁带相邻的价带的状态密度的最大值，所述附加能带的状态密度具有0.1以上的比率。