公开(公告)号：CN102473591B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080031320.3

申请日：2010-07-13

Applicant: 佐治亚科技研究公司

Inventor： 尼泰史·卡玛怀特 ,  艾博黑沙克·查德胡瑞 ,  温科·桑德锐曼 ,  罗·R·特玛拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/305 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的各种实施方式提供了细节距，芯片至基底互连封装结构，以及制造和实用该封装结构的方法。该封装结构通常包括一具有设置于其上的晶粒焊盘和凸块的半导体，及具有设置于其上的基底焊盘的基底。该凸块被配置为在凸块与基底焊盘接触时使半导体的至少一部分与基底的至少一部分电性互连。另外，在凸块与基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生变形以在二者之间形成一非冶金结合。

公开(公告)号：CN102473591A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031320.3

申请日：2010-07-13

Applicant: 佐治亚科技研究公司

Inventor： 尼泰史·卡玛怀特 ,  艾博黑沙克·查德胡瑞 ,  温科·桑德锐曼 ,  罗·R·特玛拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/305 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的各种实施方式提供了细节距，芯片至基底互连封装结构，以及制造和实用该封装结构的方法。该封装结构通常包括一具有设置于其上的晶粒焊盘和凸块的半导体，及具有设置于其上的基底焊盘的基底。该凸块被配置为在凸块与基底焊盘接触时使半导体的至少一部分与基底的至少一部分电性互连。另外，在凸块与基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生变形以在二者之间形成一非冶金结合。