公开(公告)号：CN119894184A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510015352.2

申请日：2025-01-06

Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司

Inventor： 胡清富 ,  武杰 ,  林嘉虹 ,  卢雨金 ,  李明通 ,  曹一伟

IPC: H10H20/815 ,  H10H20/01 ,  H10H20/812

Abstract: 本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法，GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述多量子阱层包括依次层叠的浅阱过渡层、高温量子阱层、应力释放层和低温量子阱层，所述应力释放层包括周期性交替层叠的AlN层和GaN层。实施本发明，可有效提高发光二极管在大电流密度下的发光效率。

公开(公告)号：CN119545993A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411640832.X

申请日：2024-11-18

Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司

Inventor： 曹一伟 ,  陈凯 ,  旷明胜

IPC: H10H20/815 ,  H10H20/825 ,  H10H20/819 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片，包括：在衬底上生长AlN缓冲层和第一AlGaN层；在第一AlGaN层上沉积金属薄膜，得到深紫外LED生长模板；对深紫外LED生长模板进行高温快速退火，将金属薄膜转化为若干个金属小球；基于若干个金属小球的图形化掩膜对第一AlGaN层进行图形化刻蚀；通过酸性溶液对若干个金属小球进行清洗，使得AlGaN插入层的顶面裸露；通过二次外延使得AlGaN插入层上形成AlGaN过渡层，形成基底；在AlGaN过渡层上沉积发光元件结构。设置图形化AlGaN插入层，可以缓解由衬底和AlN层带来应力，降低有源区的位错密度，提高深紫外LED芯片的发光效率。

公开(公告)号：CN119894178A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510014749.X

申请日：2025-01-06

Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司

Inventor： 曹一伟 ,  武杰 ,  胡清富 ,  徐金荣 ,  阮钇 ,  曹松

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/821 ,  H10H20/812

Abstract: 本发明公开了一种抗水解LED外延结构及其制备方法涉及半导体器件技术领域。本发明抗水解LED外延结构的制备方法如下：在衬底上依次生长AlN层和GaN底层；在GaN底层的表面沉积SiO2掩膜；对SiO2掩膜进行光刻，使SiO2掩膜中形成生长窗口；在光刻后的SiO2掩膜上生长V型坑层，V型坑层的材料包括GaN材料，在V型坑层内产生V型坑；在V型坑层上生长第一n‑GaN层；在第一n‑GaN层上生长第二n‑GaN层，第二n‑GaN层的生长温度大于第一n‑GaN层的生长温度，对V型坑进行修复，得到表面平整的第二n‑GaN层；在第二n‑GaN层上依次生长多量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层，得到抗水解LED外延结构。采用本发明的制备方法能够制得抗水解性能优异的LED外延结构，且制备方法简单、生产成本低。

公开(公告)号：CN119730490A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411748250.3

申请日：2024-12-02

Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司

Inventor： 旷明胜 ,  周鑫 ,  曹一伟

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/831 ,  H10H20/821 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种并联式垂直LED芯片及其制备方法，所述并联式垂直LED芯片包括：设置在芯片底部的共极电极、设置在芯片顶面的第一电极、第二电极以及发光区域；所述发光区域内设置有环形沟槽，且所述发光区域基于所述环形沟槽划分为外发光区和内发光区，所述外发光区与所述第一电极电性连接，所述内发光区与所述第二电极电性连接，且所述外发光区和所述内发光区基于所述共极电极形成并联连接。通过设置环形沟槽，将LED芯片的出光区域划分为并联布置的内发光区和外发光区，基于互不干扰的两个发光区提高芯片的容错性，从而提高发光器件的可靠性。