公开(公告)号：CN1244031A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111914.2

申请日：1999-07-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  凭井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。