公开(公告)号：CN1131204A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95119797.5

申请日：1995-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青池达行

IPC: C23C16/48

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32559

Abstract: 发明的能够形成具有小数量结构缺陷的淀积薄膜和具有杰出图象特性的用于电子照相的光接收部件的淀积薄膜形成设备，包括用来供应源气体至能够降低压力且其中布置有基片的反应容器内的装置，和用来供应高频功率至其中布置有基片的反应容器的高频电源装置，源气体被高频功率分解以便能在基片上形成淀积薄膜，其中所述高频电源装置的供应部分由多个部件构成。

公开(公告)号：CN1079843C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN95119797.5

申请日：1995-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青池达行

IPC: C23C16/48

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明公开一种淀积薄膜形成设备，能够形成具有小量结构缺陷的淀积薄膜和具有杰出图象特性的用于电子照相的光接收部件，包括用来供应漏气体至能够降低压力且其中布置有基片的反应容器内的装置，和用来供应高频功率至其中布置有基片的反应容器的高频功率供应装置，被高频功率分解以便能在基片上形成淀积膜的源气体，其中所述高频功率供应装置的供应部分由多个部件构成。

公开(公告)号：CN1011626B

公开(公告)日：1991-02-13

申请号：CN87102801

申请日：1987-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 武井哲也 ,  青池达行 ,  加藤实 ,  齐藤惠志

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  G03G5/14

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A-Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A-Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(Δn)[Δn≤0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。

公开(公告)号：CN87102801A

公开(公告)日：1988-01-20

申请号：CN87102801

申请日：1987-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 武井哲也 ,  青池达行 ,  加藤实 ,  齐藤惠志

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/02

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A—Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A—Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(n)[Δn≦0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。