公开(公告)号：CN101369594B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810166297.3

申请日：2004-12-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 让原浩 ,  三岛隆一 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  田村清一

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/00 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2

公开(公告)号：CN101976674A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010520779.1

申请日：2007-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冲田彰 ,  樋山拓己 ,  三岛隆一 ,  浦朝子

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明公开了一种图像拾取装置和图像拾取系统。该图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在该半导体衬底上的多个布线层；第一绝缘层，覆盖所述多个布线层中的顶部布线层，并且具有平坦的上表面；设置在该第一绝缘层上的钝化层；设置在钝化层上的第二绝缘层，设置在第一绝缘层和钝化层之间的第一防反射膜；以及设置在第二绝缘层和钝化层之间的第二防反射膜。

公开(公告)号：CN1627524A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100705.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 让原浩 ,  三岛隆一 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  田村清一

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0256 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。

公开(公告)号：CN101252138A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN101034712A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085695.8

申请日：2007-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冲田彰 ,  樋山拓己 ,  三岛隆一 ,  浦朝子

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明的图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在半导体衬底上的包括多个层间绝缘膜的多层布线结构；设置在该多层布线结构上的钝化层。在钝化层的下表面之下设置了第一绝缘层；在钝化层的上表面之上设置了第二绝缘层；钝化层和第一绝缘层的折射率互不相同，钝化层和第二绝缘层的折射率互不相同。此外，对层间绝缘膜和第一绝缘层中的至少一层进行了平面化处理。另外，在钝化层和第一绝缘层之间设置了第一防反射膜；在钝化层和第二绝缘层之间设置了第二防反射膜。

公开(公告)号：CN103165634A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310042689.X

申请日：2010-06-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部刚士 ,  成濑裕章 ,  三岛隆一 ,  桥本浩平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/14632

Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。

公开(公告)号：CN102142450A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110042341.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN101252138B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN101252137A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080868.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 三岛隆一 ,  成濑裕章

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件，以及多层布线结构，该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层，所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜，该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散；扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域；以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。

公开(公告)号：CN103219351A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098789.4

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 三岛隆一 ,  成濑裕章

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法。该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件，以及多层布线结构，该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层，所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜，该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散；扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域；以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。