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公开(公告)号：CN111436197B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880069821.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供造型物的制造方法，其包括通过进行一次或多次的下述步骤来形成造型物：形成粉末层的步骤，该粉末层含有包含无机化合物粉末的材料粉末，和对所述粉末层的表面的规定区域照射能量束从而使所述材料粉末熔融/凝固的步骤。在使所述材料粉末熔融/凝固的步骤中，通过改变所述能量束的输出功率、所述粉末层的表面与所述能量束的焦点的相对位置和所述能量束的扫描速度中的至少一个来分别形成富非晶区域和富结晶区域。
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公开(公告)号：CN105272231A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510287878.2
申请日：2015-05-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49
CPC classification number: B08B7/02 , B41J2/14201 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , G02B7/09 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171 , H04N5/2254 , Y10T29/43
Abstract: 本发明提供不含铅并且在器件运转温度范围内具有优异且稳定的压电性能的压电材料。为了该目的的本发明是压电材料，其包括：含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、含有Mn的第一辅助成分、和含有电荷歧化为三价和五价的Bi的第二辅助成分，其中含有的Mn的量为0.0020摩尔-0.0150摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物，并且含有的Bi的量为0.0004摩尔-0.0085摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物。Baa(Ti1-xZrx)O3 (1)(其中0.020≤x≤0.130和0.996≤a≤1.030)。
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公开(公告)号：CN102884646B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
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公开(公告)号：CN102884646A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
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公开(公告)号：CN102623344A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210074536.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102341912A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080009985.4
申请日：2010-03-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。
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公开(公告)号：CN111278618B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880069808.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 陶瓷造型物的制造方法，包括(i)平整陶瓷粉末来形成粉末层的工序，(ii)基于三维数据使用激光束照射粉末层以使照射部位结晶的工序，和(iii)重复地进行工序(i)和(ii)，其中在工序(ii)中，用激光束在未聚焦状态照射粉末层的表面。
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公开(公告)号：CN112166018A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980035063.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供使用直接造型系统制造实现了机械强度、耐磨性和机械加工性的改善的陶瓷制品的方法和陶瓷制品。该制造方法包括以下步骤：(i)在基底上配置含有陶瓷作为主要成分的粉末；(ii)用能量束照射所配置的粉末的一部分或全部以使所述粉末熔融并凝固，由此获得中间造型制品；(iii)使所述造型制品吸收含有金属成分的液体以用其浸渍所述造型制品；和(iv)对已吸收了含有金属成分的液体的造型制品进行热处理。
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公开(公告)号：CN111278618A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069808.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 陶瓷造型物的制造方法，包括(i)平整陶瓷粉末来形成粉末层的工序，(ii)基于三维数据使用激光束照射粉末层以使照射部位结晶的工序，和(iii)重复地进行工序(i)和(ii)，其中在工序(ii)中，用激光束在未聚焦状态照射粉末层的表面。
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公开(公告)号：CN104810471B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510044924.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/49
CPC classification number: H01L41/1871 , B06B1/0644 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , G02B27/0006 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/163 , H04N5/2171
Abstract: 本公开内容涉及压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置。一种压电元件包括压电材料部分。压电材料部分由包括钙钛矿型金属氧化物和Mn并且具有残留分极的压电陶瓷制成，所述钙钛矿型金属氧化物包括钛酸钡。压电材料部分具有在与压电陶瓷的残留分极方向交叉的方向上延伸的测量表面，并且，在测量表面被抛光到具有200nm或更小的表面粗糙度之后，测量表面在室温下具有1.0或更大的(002)/(200)X射线衍射强度比。压电陶瓷在室温下的c轴晶格常数c与a轴晶格常数a的比c/a满足1.004≤c/a≤1.010。测量表面在室温下的(002)衍射峰的半宽为1.2°或更小。
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