公开(公告)号：CN110895380A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910864595.8

申请日：2019-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  矢野俊治 ,  前田和规 ,  三井亮 ,  永田岳志

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。

公开(公告)号：CN108807140B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201810366118.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  渡边修 ,  永田岳志 ,  小林直贵 ,  郡大佑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。#imgabs0#

公开(公告)号：CN108807140A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810366118.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  渡边修 ,  永田岳志 ,  小林直贵 ,  郡大佑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02071 ,  B08B3/08 ,  B81C1/00857 ,  B81C1/00952 ,  C11D7/28 ,  C11D7/5018 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67034

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。