公开(公告)号：CN104460224B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

公开(公告)号：CN104460224A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

公开(公告)号：CN110609437A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910904266.1

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/76 ,  G03F1/78 ,  G03F1/36

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN104460221A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499354.5

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN108594593A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810596424.7

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN107037688A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610916600.1

申请日：2016-10-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 沼波恒夫 ,  稻月判臣 ,  桜田豊久

IPC: G03F1/82

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68778 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置以及基板清洗方法，所述基板清洗装置在进行清洗处理时，可以防止异物附着在基板上。为了解决上述课题，本发明提供一种光掩模相关基板所使用的基板清洗装置，具备：保持构件，其只保持基板的端面；旋转机构，其使该保持构件旋转；以及，喷嘴，其向所述基板的至少表面侧供给液体，所述基板通过该旋转机构而与所述保持构件一起旋转；所述基板清洗装置的特征在于，至少一个所述保持构件的表面具有导电性，该具有导电性的保持构件接地。