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公开(公告)号：CN107078057B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201580056672.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
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公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN105164790B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480024949.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 樱田昌弘
IPC: H01L21/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/167 , C30B15/00 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B29/68 , C30B31/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/3225
Abstract: 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。
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公开(公告)号：CN1304647C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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公开(公告)号：CN107078057A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056672.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
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公开(公告)号：CN1689148A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03823816.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种退火晶片及其制造方法，涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片，其特征是，从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95％以上，并且在投入器件工序前的阶段，能在晶片内部检测出的、具有吸收能力的尺寸以上的氧析出物的密度为1×109/cm3以上。根据本发明，其器件制作区即晶片表层的氧化膜耐压特性优良，并且在体层上，在投入器件工序前的阶段高密度存在氧析出物，从而具有优良的IG能力。
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公开(公告)号：CN111033707B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880053033.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。
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公开(公告)号：CN111033707A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053033.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。
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