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公开(公告)号:CN116177591B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202211583257.5
申请日:2022-12-09
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明属于精细化工领域,公开了一种高纯硫化铟粉体的制备方法,其技术方案为:以氢氧化铟粉体为原料,加热至600~800℃并保温,煅烧为蓬松的氧化铟粉体,然后在硫化氢气体氛围下加热氧化铟粉体至400~600℃并保温,反应生成硫化铟粉体。该方法过程不产生废水,对环境影响小;工艺流程短,原料氢氧化铟经分解、硫化两步即可得到硫化铟粉体;制备过程中物料不接触溶液、阴离子、有机物等,粉体中的非金属杂质元素C、N、O易控制,这是湿化学法无法达到的,并且制备得到的硫化铟粉体粒径小且纯度高。
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公开(公告)号:CN119612626A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411810886.6
申请日:2024-12-10
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明属于高纯氢氧化钌制备技术领域,公开了一种氢氧化钌及其制备方法,该氢氧化钌的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将酸度5~8mol/L、钌含量2~8wt%的第一氯钌酸溶液通过蒸酸浓缩得到酸度3mol/L以下的第二氯钌酸溶液;步骤2:往第二氯钌酸溶液中加入碱液进行沉淀处理,得到氢氧化钌。本发明通过控制氯钌酸的钌含量配合特定酸度范围的氯钌酸溶液的蒸酸浓缩处理操作,可以控制氢氧化钌的生成粒径,从而既能避免过细粒径的氢氧化钌形成胶体难以离心沉淀产生洗涤损失,又不会出现因为氢氧化钌粒径过大将杂质离子包裹导致杂质难以洗涤出来降低氢氧化钌纯度的问题。
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公开(公告)号:CN116789451B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202310661181.1
申请日:2023-06-06
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及靶材生产技术领域,公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法,其步骤包括,先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2~10%,随后进行湿法球磨、静置、烘干,制得掺硅锗锑碲粉体;随后,将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压,制得掺硅锗锑碲毛坯;再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工,得到掺硅锗锑碲靶材,通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点,并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
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公开(公告)号:CN118268578A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410295947.3
申请日:2024-03-15
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
Abstract: 本申请属于合金粉体制备技术领域,公开了一种银铅合金粉体的制备方法,该方法先将质量比为0.8~1.2:0.8~1.2的银锭和铅锭置于熔炼室内熔化,得到银铅混合液,再将银铅混合液转移至雾化室并在惰性气体或氮气的气氛下雾化制粉、冷却,得到中间粉体,最后将中间粉体过筛、均质,得到银铅合金粉体,通过上述方法制得的银铅合金粉末一方面由于通过雾化制粉获得,具有晶粒细化、组分均匀和固溶度高的特点,同时通过对喷嘴孔径、雾化压力的优化,进一步提升了银铅合金粉末的球形率和粒径分布均匀程度,此外,本申请公开了一种银铅合金粉体。
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公开(公告)号:CN117776724A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311729908.1
申请日:2023-12-15
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体领域,具体涉及一种导电In2Se3靶材的制备方法,包括如下方法:步骤1:将Cu2Se粉末和In2Se3粉末混合,得到混合粉末;步骤2:将混合粉末进行模压,得到靶坯;步骤3:在真空炉中,于真空状态下升温至700~800℃,然后真空状态下,保温30~60min;接着将炉内压力升高到35~40MPa,保温60~90min;保温结束后降压并停止加热得到靶材;所述Cu2Se粉末占Cu2Se粉末和In2Se3粉末总重量的2~10%。该方法通过控制Cu2Se的掺杂量,同时通过变压恒温的方式,可以得到相对密度大于96%,优选大于97%、阻率小于1250KΩ/cm,优选小于900KΩ/cm的产品。此外,本发明还提供了一种导电In2Se3靶材。
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公开(公告)号:CN117737431A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311722557.1
申请日:2023-12-14
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C22B7/00 , C01B19/02 , C22B1/02 , C22B5/12 , C22B58/00 , B09B3/40 , B09B3/10 , B09B3/70 , B09B5/00
Abstract: 本发明属于原料回收技术领域,公开了一种从硒化铟中回收铟和硒的方法,包括如下步骤:步骤1:将硒化铟粉末在氧气氛围下升温至700‑1000℃,保温2‑5h得到氧化硒气体和氧化铟粉末;步骤2:将氧化硒气体通入水中形成硒酸,再将硒酸在二氧化硫气体氛围下升温至200‑500℃保温2‑5h还原得到硒沉淀;步骤3:将氧化铟粉末在氢气氛围下升温至400‑800℃,保温2‑5h得到单质铟;其中,硒化铟粉末的粒径≤100μm。本发明采用火法回收硒和铟,其通过氧气氛围下升温将硒化铟分解成氧化硒和氧化铟,具有分离彻底的优势,从而提高了硒和铟的回收率,且分离过程中不会产生污染气体。
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公开(公告)号:CN117735631A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311730148.6
申请日:2023-12-15
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明属于金属氧化物材料制备技术领域,公开了一种二氧化钌的制备方法。所述制备方法包括如下步骤:将钌粉经粉碎后与固体碱和氧化剂混合,加热至500~650℃搅拌反应,反应产物经冷却后加入纯水溶解,得到碱熔水浸液;在所得碱熔水浸液中加入小分子醇搅拌还原反应,将还原产物体系经固液分离,取固相洗涤,得到湿料;将所得湿料在450~600℃及空气氛围下保温煅烧,得到二氧化钌。采用本发明制备方法制备二氧化钌具有无毒害、杂质含量低、收率高、粒度均匀的优点。
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公开(公告)号:CN115583673B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202211194597.9
申请日:2022-09-27
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明公开了一种从氧化铝砂子中回收氯铂酸铵的方法,涉及贵金属回收技术领域;本发明提供的从氧化铝砂子中回收氯铂酸铵的方法包括以下步骤:(1)将氧化铝砂子和水混合均匀后过超声波水筛,得到筛上物和筛下物,所述筛上物为氧化铝粗砂,所述筛下物为铂富集物浆料;(2)将所述铂富集物浆料和盐酸混合后第一次加热,加入双氧水后进行第二次加热,保温后离心,得到浸出渣和浸出液;(3)将所述浸出液通过三级串联的硫脲树脂,硫脲树脂吸附饱和后进行解吸,得到铂液;(4)将所述铂液和氯化铵混合均匀,反应后得到所述氯铂酸铵;本发明提供的方法能够实现贵金属铂的短流程、无毒害、高收率的回收利用,并且操作简单,有利于实际生产。
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公开(公告)号:CN115522056A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202211219503.9
申请日:2022-09-30
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含钌溶液的回收方法,涉及贵金属回收技术领域。本发明提供了一种含钌溶液的回收方法,包括以下步骤:(1)调节含钌溶液的pH值为4~8,加热至60~70℃后加入还原剂溶液,保温后得到混合溶液A;所述混合溶液A的电位为‑100mv~‑500mv;(2)将步骤(1)中得到的混合溶液A进行固液分离,将得到的固体球磨后,得到钌副产品;(3)将步骤(2)中得到的钌副产品和碱溶液混合,蒸馏得到四氧化钌,再用盐酸吸收得到氯钌酸溶液。本发明提供了一种短流程、低能耗、高收率的含钌溶液的回收方法。
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公开(公告)号:CN115044977A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210573634.0
申请日:2022-05-24
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种C12A7:e‑电子化合物靶材及其制备方法,属于无机材料靶材制备技术领域,该方法包括以下步骤:(1)将CaCO3、Al2O3粉混合均匀后,置于石墨坩埚中,在通入惰性气体气氛炉中进行固相反应,形成C12A7化合物;(2)将步骤(1)所得的C12A7化合物破碎成粉体,将粉体置于带盖石墨桶中,然后将装有粉体的石墨桶置于真空感应炉中进行熔炼还原,采用定向凝固的方式,形成C12A7:e‑电子化合物;(3)将步骤(2)所得C12A7:e‑电子化合物加工后,与背板进行绑定,得到C12A7:e‑电子化合物靶材。采用上述方法制备的C12A7:e‑电子化合物靶材相对密度和纯度高。
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