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公开(公告)号：CN103730397A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310350125.2
申请日：2013-08-13
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14616
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散“FD”区域及传送装置。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述FD区域安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域。所述传送装置包含栅极、埋入式沟道掺杂剂区域及表面沟道区域。所述栅极安置于所述光敏元件与所述FD区域之间。所述埋入式沟道掺杂剂区域经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方。所述表面沟道区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。
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公开(公告)号：CN103730397B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310350125.2
申请日：2013-08-13
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14616
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散“FD”区域及传送装置。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述FD区域安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域。所述传送装置包含栅极、埋入式沟道掺杂剂区域及表面沟道区域。所述栅极安置于所述光敏元件与所述FD区域之间。所述埋入式沟道掺杂剂区域经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方。所述表面沟道区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。
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公开(公告)号：CN104517979A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410009345.3
申请日：2014-01-09
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14656 , H01L27/14614
Abstract: 本发明涉及一种具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元。一种像素单元包含存储晶体管，所述存储晶体管包含具有第一极性的深植入存储区域，所述深植入存储区域植入于半导体衬底中以存储由光电二极管积累的图像电荷。转移晶体管耦合于所述光电二极管与所述存储晶体管的输入之间，以将所述图像电荷从所述光电二极管选择性地转移到所述存储晶体管。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出，以将所述图像电荷从所述存储晶体管选择性地转移到读出节点。具有所述第一极性的第一浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述转移晶体管的转移栅极与所述存储晶体管的存储栅极之间的第一间隔件区域下方。具有所述第一极性的第二浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述存储栅极与输出栅极之间的第二间隔件区域下方。
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公开(公告)号：CN105047678A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410831765.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14689
Abstract: 本申请案涉及一种具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素。一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。
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