公开(公告)号：CN104517979A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410009345.3

申请日：2014-01-09

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 胡信中 ,  杨大江 ,  傅振宏

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14656 ,  H01L27/14614

Abstract: 本发明涉及一种具有紧挨存储栅极的双自对准植入物的图像传感器像素单元。一种像素单元包含存储晶体管，所述存储晶体管包含具有第一极性的深植入存储区域，所述深植入存储区域植入于半导体衬底中以存储由光电二极管积累的图像电荷。转移晶体管耦合于所述光电二极管与所述存储晶体管的输入之间，以将所述图像电荷从所述光电二极管选择性地转移到所述存储晶体管。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出，以将所述图像电荷从所述存储晶体管选择性地转移到读出节点。具有所述第一极性的第一浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述转移晶体管的转移栅极与所述存储晶体管的存储栅极之间的第一间隔件区域下方。具有所述第一极性的第二浅植入区域植入于所述半导体衬底中在所述存储栅极与输出栅极之间的第二间隔件区域下方。

公开(公告)号：CN104377211A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310589090.8

申请日：2013-11-20

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 胡信中 ,  杨荣生 ,  陈刚 ,  霍华德·E·罗兹 ,  真锅宗平 ,  戴森·幸志·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及一种具有切换式深沟槽隔离结构的图像传感器像素单元。像素单元包含安置于半导体材料的第一区中的外延层中的光电二极管。浮动扩散部安置于阱区中，所述阱区安置于所述第一区中的所述外延层中。传送晶体管安置于所述第一区中且耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将图像电荷从所述光电二极管选择性地传送到所述浮动扩散部。深沟槽隔离DTI结构安置于所述半导体材料中、将所述DTI结构的一侧上的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，在所述DTI结构内侧衬有电介质层。所述DTI结构内侧的经掺杂半导体材料响应于所述传送晶体管将所述图像电荷从所述光电二极管选择性地传送到所述浮动扩散部而选择性地耦合到读出脉冲电压。

公开(公告)号：CN104023183A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310511423.5

申请日：2013-10-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  林志强 ,  胡信中 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452

Abstract: 本发明涉及具有多个放大器晶体管的高动态范围像素。本发明揭示一种供在高动态范围图像传感器中使用的像素单元，其包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷。传送晶体管安置于所述半导体材料中且耦合于浮动扩散部与所述光电二极管之间。第一放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第一放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第一输出信号的源极端子。第二放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第二放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第二输出信号的源极端子。

公开(公告)号：CN104103652A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310544735.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 胡信中 ,  杨大江 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  戴幸志 ,  陈刚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明涉及具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器。图像传感器像素包含安置在半导体层中的一个或一个以上光电二极管。像素电路安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管。钝化层在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近。触点蚀刻终止层安置在所述钝化层上方。一个或一个以上金属触点穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路。在所述触点蚀刻终止层中界定一个或一个以上隔离区，所述隔离区将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。

公开(公告)号：CN105047678A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201410831765.X

申请日：2014-12-26

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 杨大江 ,  陈刚 ,  傅振宏 ,  毛杜利 ,  艾瑞克·A·G·韦伯斯特 ,  胡信中 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及一种具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素。一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。