一种钛酸铋钠基无铅弛豫铁电储能陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116986900B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202311067754.4

    申请日:2023-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅弛豫铁电储能陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料包括具有如下化学式的基体陶瓷:0.88(0.8Na0.5Bi0.5TiO3‑0.2Sr0.7Nd0.2TiO3)‑0.12La(Mg1/2Zr1/2)O3,以及占所述基体陶瓷0.3~0.7wt%的YbO3、0.07~0.3wt%的Sm2O3、0.15~0.45wt%的CaO和0.10~0.45wt%的SiO2。本发明的钛酸铋钠基无铅弛豫铁电储能陶瓷材料在室温下得到纤细的电滞回线,同时材料的击穿场强得到明显提高,获得较高的储能性能,储能密度达到3.60~5.05 J/cm3,储能效率为81.3~91.5%。

    一种优化铁电薄膜材料性能的添加剂及其优化钛酸铋钠基铁电薄膜储能性能的方法

    公开(公告)号:CN119371231A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411487625.5

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明提供了一种优化铁电薄膜材料性能的添加剂及其优化钛酸铋钠基铁电薄膜储能性能的方法,属于电子功能材料与器件技术领域。本发明利用溶胶‑凝胶法制备铁电薄膜,在制备薄膜前驱体溶液的过程中加入了一种由N,N‑二甲基乙酰胺、乙醇胺、乳酸、乙二醇甲醚和丙酸组成的新型添加剂。前驱体溶液经过旋涂、干燥、热解、退火,得到铁电薄膜材料,并其顶部溅射金电极。与未加入添加剂的铁电薄膜相比,加入添加剂的铁电薄膜极化性能与储能性能显著提高。以0.6(Na0.5Bi0.5)TiO3‑0.4Bi(Mg0.5Zr0.5)O3铁电薄膜为例,在2000kV/cm的电场下,最大极化提升了约70%,储能性能提升约40%。

    一种石墨烯/锰酸钇基异质结、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117497631A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311480304.8

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/锰酸钇基异质结、其制备方法和应用,该异质结的结构包括依次设置的La0.7Sr0.3MnO3薄膜、YMnO3无铅铁电薄膜和Graphene薄膜,所述La0.7Sr0.3MnO3薄膜为具有空间基团的菱方相结构,所述YMnO3无铅铁电薄膜为具有P63cm空间基团的六方相结构。该异质结顶层为石墨烯薄膜,中间层为无铅铁电薄膜,其化学通式表示为YMnO3作为基础薄膜胶体,底层为La0.7Sr0.3MnO3薄膜,通过将YMnO3/La0.7Sr0.3MnO3基础薄膜胶体与二维材料Graphene复合,实现了对光吸收能力的增强、增加了Graphene与YMO、YMO/LSMO界面效应与铁电退极化场的协同作用来提高光生载流子的分离和迁移,同时Graphene作为空穴传输层,有利于载流子传输,极大减小了载流子复合率。由此增强Graphene/YMO/LSMO异质结的光伏效应。

    一种铁酸铋基无铅储能陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116986892A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311067753.X

    申请日:2023-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基无铅储能陶瓷材料及其制备方法,所述铁酸铋基无铅储能陶瓷材料包括具有如下化学通式的基体陶瓷:(0.72‑x)BiFeO3‑0.28BaTiO3‑xLa(Mg1/2Zr1/2)O3,其中0≤x≤0.24。本发明通过引入掺杂离子La、Mg和Zr,使得铁酸铋‑钛酸钡体系中的氧空位浓度大幅度降低,解决了漏电流大的问题,提升了储能密度和储能效率,并且制备方法工艺简单可控,稳定性高,原材料绿色环保,总体成本低。

    高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN111548154A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010407991.0

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法,该低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料的化学组成通式为:(Pb0.94La0.04)(Zr1-x-ySnxTiy)O3,其中,0≤x≤0.5,0≤y≤0.03。本发明通过调控不同的Zr/Sn/Ti比例,并借助流延成型的工艺制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料可以在1100-1300℃温度范围内烧结,且本发明制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料在室温条件下兼备高相变电场、高击穿电场、高极化强度的特点,并能够具有非常高的储能密度和储能效率,弥补了传统法制备锆酸铅基反铁电陶瓷材料相变电场低、击穿电场低、储能密度低的技术缺陷,拓宽了其在高功率储能材料领域的研发和应用。

    锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106915965A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710229647.5

    申请日:2017-04-10

    Abstract: 本发明涉及一种锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法,用于制备锆酸铅基反铁电多层电容器的锆酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb0.92‑xBa0.05La0.02Dyx)(Zr0.68Sn0.27Ti0.05)O3;其中,x的取值范围为:0<x≤0.06。本发明的锆酸铅基反铁电多层电容器,用掺杂了Dy的锆酸铅基反铁电材料制备的电容器,在外加电场的作用下,会随Dy含量的增加反铁电相越稳定,能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(EAFE‑FE),EAFE‑FE与铁电到反铁电转变电场的差值ΔE逐渐降低,提高了多层电容器的储能密度和储能效率。

    一种铁酸铋基无铅储能陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116986892B

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202311067753.X

    申请日:2023-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基无铅储能陶瓷材料及其制备方法,所述铁酸铋基无铅储能陶瓷材料包括具有如下化学通式的基体陶瓷:(0.72‑x)BiFeO3‑0.28BaTiO3‑xLa(Mg1/2Zr1/2)O3,其中0≤x≤0.24。本发明通过引入掺杂离子La、Mg和Zr,使得铁酸铋‑钛酸钡体系中的氧空位浓度大幅度降低,解决了漏电流大的问题,提升了储能密度和储能效率,并且制备方法工艺简单可控,稳定性高,原材料绿色环保,总体成本低。

    一种耐腐蚀稀土高熵合金低频微波吸收剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118792567A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411039583.9

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 本发明属于吸波材料技术领域,具体公开了一种耐腐蚀稀土高熵合金低频微波吸收剂及其制备方法与应用。本发明所述耐腐蚀稀土高熵合金低频微波吸收剂的分子式为FeaCobNicMndCueLaf,其中0.5≤a≤1,0.5≤b≤1,0.5≤c≤1,0<d≤1,0<e≤0.5,0<f≤0.1,且a≥b≥c>d≥e>f。所述微波吸收剂通过对应的合金粉与球磨控制剂混合,进行球磨,便能制备得到,具有工艺简单,条件易控制,能耗低的优势;另外,其内部为片状颗粒结构,能够有效阻止多种腐蚀介质在目标基体表面的渗透与传递,具有优异的耐腐蚀性能,同时兼具优异的吸波性能。

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