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公开(公告)号:CN119510913A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411632569.X
申请日:2024-11-15
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽频带电场传感器、电场传感器组件及电场检测方法,包括衬底、至少一个动态感应电极与至少一个静态感应电极,衬底包括实体区域与凹陷区域,动态感应电极与静态感应电极间隔设置,动态感应电极的一部分附着在实体区域上,另一部分位于凹陷区域上,静态感应电极的一部分附着在实体区域上,另一部分位于凹陷区域上,其中:动态感应电极根据激励信号获得当前电场的至少一个直流电流信号,静态感应电极至少根据在当前电场中所感应的电荷获得当前电场的至少一个交流电流信号。本发明可以同时获得直流电流信号与交流电流信号,实现对直流电场与交流电场的良好检测,提高对于电场检测的敏感程度,拓宽电场传感器的检测频段。
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公开(公告)号:CN119827853A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411839925.5
申请日:2024-12-13
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种压电电极组件、加工方法及MEMS电场传感器,其中,压电电极组件包括基层、底端绝缘层、上金属电极、压电材料层与下金属电极,上金属电极、压电材料层、下金属电极与底端绝缘层依次叠加在基层上,还包括屏蔽电极,其中:屏蔽电极位于压电材料层的上方区域,并且至少遮挡上金属电极的顶部端面。本发明通过增设屏蔽电极,不但可以对压电驱动信号进行有效的屏蔽,可以避免被测电场受到压电驱动信号的干扰,还可以避免压电驱动信号的频率由于与电场传感器的感应信号频率相同而产生干扰。
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公开(公告)号:CN119827852A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411839892.4
申请日:2024-12-13
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器,其中,压电驱动电极组件包括基层、底端绝缘层与压电电极,压电电极与底端绝缘层依次叠加在基层上,压电电极包括依次叠加的上金属电极、压电材料层与下金属电极,还包括上端屏蔽电级与下端屏蔽电极,其中:上端屏蔽电极的至少一部分位于上金属电极的上方区域,且至少遮挡上金属电极的顶部端面的一部分;下端屏蔽电极位于压电电极的第一侧和/或第二侧,且覆盖底端绝缘层的顶部端面的一部分。本发明不但可以避免被测电场受到压电驱动信号的干扰,还可以避免压电驱动信号的频率由于与电场传感器的感应信号频率相同而产生干扰。
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公开(公告)号:CN119510910A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411632535.0
申请日:2024-11-15
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种电场传感器组件及电场检测方法,包括电场传感器与数据处理部分,其中:电场传感器包括衬底、以及结构相同、且可切换的第一感应电极与第二感应电极,其中:衬底包括实体区域与电荷感应区域,第一感应电极与第二感应电极的第一部分均是附着在实体区域上,第一感应电极与第二感应电极的第二部分均是位于电荷感应区域上;第一感应电极可以根据激励信号生成、输出直流电流信号、或者生成、输出交流电流信号,第一感应电极可以生成、输出交流电流信号、或者根据激励信号生成、输出直流电流信号。本发明可以同时获得直流电流信号与交流电流信号,并且还可以根据需要对结构相同的第一感应电极与第二感应电极进行切换,以增加适应性。
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公开(公告)号:CN119827851A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411839869.5
申请日:2024-12-13
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种压电电极、压电组件、加工方法及MEMS电场传感器,其中,压电电极包括基层、底端绝缘层与电极组件,电极组件包括上金属电极、压电材料层与下金属电极,电极组件还包括第一顶端绝缘层、第二顶端绝缘层与至少一个屏蔽电极,其中:第一顶端绝缘层与第二顶端绝缘层相对应的均是至少包裹在上金属电极与压电材料层的外侧,第一顶端绝缘层、第二顶端绝缘层、上金属电极与下金属电极形成封装结构;屏蔽电极覆盖第一顶端绝缘层的顶部端面的一部分和/或第二顶端绝缘层的顶部端面的一部分。本发明可以对压电材料层进行包裹封装与屏蔽,避免被测电场受到压电驱动信号的干扰,以及避免压电驱动信号的频率产生干扰。
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公开(公告)号:CN119510912A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411632562.8
申请日:2024-11-15
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽频带电场传感器组件及电场检测方法,其中:电场传感器包括衬底、动态感应电极、静态感应电极与屏蔽电极,衬底包括实体区域与凹陷区域,动态感应电极与静态感应电极间隔设置,屏蔽电极位于动态感应电极与静态感应电极之间,其中,动态感应电极与静态感应电极的一部分附着在实体区域上,另一部分位于凹陷区域上,分别获得当前电场的直流电流信号与交流电流信号;屏蔽电极朝向电场传感器的顶部,用于屏蔽干扰信号;数据处理部分用于获得直流电压值与交流电压值,以及根据二者的比较结果确定当前电场类型。本发明可以屏蔽干扰信号,并在感应交流电流信号时,解决由于电场频率与感应电极频率存在干扰,而导致无法准确检出的缺陷。
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公开(公告)号:CN119510911A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411632550.5
申请日:2024-11-15
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 , 中科飞龙(北京)智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种电场传感器组件及电场类型检测方法,包括电场传感器与数据处理部分,其中:电场传感器包括动态感应电极与静态感应电极,动态感应电极包括生成直流电流信号的第一信号生成组件、输出直流电流信号的第一信号输出组件、以及感应电荷的第一电荷感应组件;静态感应电极至少包括感应电荷的第二电荷感应组件、以及输出交流电流信号的第二信号输出组件;数据处理部分接收直流电流信号与交流电流信号、并分别获得直流电压值与交流电压值,根据直流电压值与交流电压值的比较结果确定当前电场类型。本发明可以同时获得直流电流信号与交流电流信号,实现对直流电场与交流电场的良好检测,提高电场检测的敏感度,拓宽电场传感器的检测频段。
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公开(公告)号:CN114229788A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202010943851.5
申请日:2020-09-09
Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院 , 北京中科飞龙传感技术有限责任公司
Abstract: 一种微型电场传感器圆片级封装增敏降噪结构,该结构主要由三层圆片级导体硅和两层绝缘材料组成,包括:基底层,制作有凹槽与多个垂直互连结构,表面沉积有第一绝缘层,基底层通过第一绝缘层上的刻蚀窗口与接地垂直互连结构连接接地,降低耦合串扰噪声;器件层,刻蚀有传感结构、闭合密封环和屏蔽梁,接地屏蔽梁降低层内耦合噪声;封帽层,通过第二绝缘层与器件层实现绝缘,并通过第二绝缘层的镂空区域与传感结构之间形成微小间隙,以增强感应结构周围电场强度进而提高传感器灵敏度。本公开可实现电场传感器圆片级封装,具有增敏降噪的特点,且制造工艺简单。
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公开(公告)号:CN114113814A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111408937.9
申请日:2021-11-24
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种静电力调谐型MEMS电场传感器和控制方法,包括驱动电极、拾振电极、谐振结构、静电力敏感电极,静电力敏感电极与谐振结构相连,驱动电极用于与谐振结构之间形成驱动电容,拾振电极用于与谐振结构之间形成拾振电容,静电力敏感电极用于感应待测电场,引起谐振结构谐振频率的变化,拾振电极检测谐振结构谐振频率的变化,得到待测电场的检测结果。本申请通过在驱动电极上施加激励信号,引起谐振结构的谐振,静电力敏感电极在待测电场的静电力作用下,引起谐振结构的谐振频率的变化,拾振电极通过检测谐振频率的变化,实现对待测电场的测量,本传感器结构简单、易于制备、成本较低,有利于规模化网络化应用。
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公开(公告)号:CN114113813A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111408915.2
申请日:2021-11-24
Applicant: 北京中科飞龙传感技术有限责任公司
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种自适应型MEMS电场传感器及其结构,包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极;所述拾振参考电极与可动接地电极之间形成电容,用于检测可动接地电极的振动情况;可动接地电极与感应电极相对部分,形成感应电极的屏蔽电极,感应电极用于感应外部电场;在驱动电极上施加激励信号,使可动接地电极处于谐振状态,检测拾振参考电极、感应电极的输出,以感应电极输出的解调感应电压除以拾振参考电极输出的解调参考电压,得到外部电场检测结果。通过自动调整激励信号及对输出进行修正,能够根据环境及结构参数变化进行自适应调整,实现对传感器输出漂移的补偿,极大提高MEMS传感器的测量准确性。
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