-
公开(公告)号：CN115036218B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210869989.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开一种铜互连结构的制备方法，属于半导体工艺技术领域。铜互连结构的制备方法包括第一刻蚀步骤、保护层沉积步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤为：以硬掩膜层为掩膜，利用刻蚀气体对铜层的表面进行刻蚀，以在铜层的表面形成沟槽，直至沟槽达到第一预设深度，刻蚀气体包括氢气；保护层沉积步骤为：对沟槽的侧壁面和底壁面沉积保护气体，以使保护气体在侧壁面和底壁面形成用于阻挡刻蚀气体的保护层，保护气体包括氮气；第二刻蚀步骤为：继续利用刻蚀气体对沟槽的底壁面进行刻蚀，直至沟槽达到第二预设深度，第二预设深度大于第一预设深度。如此，保护层能阻挡氢气的等离子体进入铜层的晶格结构内，避免造成空洞缺陷，保证铜层的性能。
-
公开(公告)号：CN115206764A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210862883.1
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种线圈装置及半导体工艺腔室，涉及半导体工艺装备领域。一种线圈装置，应用于半导体工艺腔室，所述线圈装置包括：第一介质层、第二介质层、第一线圈层和第二线圈层；所述第一介质层与所述第二介质层间隔设置，且两者之间形成空气层；所述第一线圈层设置于所述第一介质层，所述第二线圈层设置于所述第二介质层，所述第一线圈层与所述第二线圈层对应设置并串联连接。一种半导体工艺腔室，包括上述线圈装置。本申请至少能够解决线圈的角向分布不对称等问题。
-
公开(公告)号：CN115223862B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211005989.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、去除步和沉积步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，其可以改善深度负载效应，避免沟槽顶部的宽度过大，从而可以保证线条尺寸(Line CD)满足工艺要求，进而可以获得更垂直的刻蚀形貌。
-
公开(公告)号：CN115172248A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210856952.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备，控制方法包括：将晶圆传送至静电卡盘上，对晶圆进行吸附；待对晶圆进行工艺处理后，向反应腔室中通入解吸附气体，控制腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将解吸附气体激发为等离子体；在维持等离子体后的第一设定时长内，将晶圆抬升至设定高度；在抬升之后，在第二设定时长内，将上电极的功率从第一设定功率逐渐降至0，实现对等离子体的灭辉；同时将腔室压力从第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对晶圆的解吸附。本发明能够解决工艺过程中晶圆在吸附和解除吸附过程中产生的颗粒问题，提高产品良率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115036218A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210869989.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开一种铜互连结构的制备方法，属于半导体工艺技术领域。铜互连结构的制备方法包括第一刻蚀步骤、保护层沉积步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤为：以硬掩膜层为掩膜，利用刻蚀气体对铜层的表面进行刻蚀，以在铜层的表面形成沟槽，直至沟槽达到第一预设深度，刻蚀气体包括氢气；保护层沉积步骤为：对沟槽的侧壁面和底壁面沉积保护气体，以使保护气体在侧壁面和底壁面形成用于阻挡刻蚀气体的保护层，保护气体包括氮气；第二刻蚀步骤为：继续利用刻蚀气体对沟槽的底壁面进行刻蚀，直至沟槽达到第二预设深度，第二预设深度大于第一预设深度。如此，保护层能阻挡氢气的等离子体进入铜层的晶格结构内，避免造成空洞缺陷，保证铜层的性能。
-
公开(公告)号：CN117832146A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211197873.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种静电卡盘的吸附和解吸附控制方法及半导体工艺设备，其中，所述静电卡盘的吸附控制方法包括：步骤一，向晶圆和静电卡盘之间通入压力气体，其中，所述压力气体在所述晶圆上产生的托承力小于所述晶圆的重力；步骤三，向所述静电卡盘施加吸附电压，调整所述压力气体的压力，以使所述晶圆处于受力平衡状态；步骤五，升高施加至所述静电卡盘的吸附电压，使所述静电卡盘切换至定位状态，调整所述压力气体的压力，以将所述晶圆定位于所述静电卡盘。所述静电卡盘的吸附控制方法用于减缓在静电卡盘吸附晶圆的过程中，晶圆与凸起结构之间的摩擦现象。
-
公开(公告)号：CN115945458A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211212745.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备及其清洗方法，该设备包括工艺腔室、用于向工艺腔室内通入气体的进气装置、用于抽出工艺腔室内气体的抽气装置，以及用于激发工艺腔室内气体形成等离子体的上电极装置，其特征在于，进气装置包括喷嘴、设置在喷嘴中的多个进气通道，以及气体分配组件，其中，不同的进气通道的出气方向不同；气体分配组件与多个进气通道连接，且用于与气体供应源连接，气体分配组件用于选择性地将气体供应源与至少一个进气通道连通，以能够在进行清洗工艺时，依次对各个进气通道和工艺腔室的内部进行清洗。本发明提供的半导体工艺设备及其清洗方法，可以有效提高对各个进气通道的清洁效果，降低刻蚀副产物掉落在晶圆上的风险。
-
公开(公告)号：CN114914156A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210760019.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开一种刻蚀方法，用于在被刻蚀件上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽，且所述第一沟槽的纵截面的宽度大于所述第二沟槽的纵截面的宽度，刻蚀方法包括：向工艺腔室通入钝化气体，直至第一预设时长后所述被刻蚀件上用以形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的对应区域的底部分别形成第一钝化层和第二钝化层；开启下射频电源，向所述工艺腔室通入第一刻蚀气体，直至所述第一沟槽和所述的第二沟槽的深度均满足预设深度。采用上述刻蚀方法，可以同时在被刻蚀件上形成纵截面宽度不同，但深度相同的第一沟槽和第二沟槽，进而可以提升半导体的良品率。
-
公开(公告)号：CN115223862A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211005989.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、去除步和沉积步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，其可以改善深度负载效应，避免沟槽顶部的宽度过大，从而可以保证线条尺寸(Line CD)满足工艺要求，进而可以获得更垂直的刻蚀形貌。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.032 seconds)
