公开(公告)号：CN117832146A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211197873.7

申请日：2022-09-29

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  何忠义 ,  蒋中伟 ,  周清军

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请实施例提供了一种静电卡盘的吸附和解吸附控制方法及半导体工艺设备，其中，所述静电卡盘的吸附控制方法包括：步骤一，向晶圆和静电卡盘之间通入压力气体，其中，所述压力气体在所述晶圆上产生的托承力小于所述晶圆的重力；步骤三，向所述静电卡盘施加吸附电压，调整所述压力气体的压力，以使所述晶圆处于受力平衡状态；步骤五，升高施加至所述静电卡盘的吸附电压，使所述静电卡盘切换至定位状态，调整所述压力气体的压力，以将所述晶圆定位于所述静电卡盘。所述静电卡盘的吸附控制方法用于减缓在静电卡盘吸附晶圆的过程中，晶圆与凸起结构之间的摩擦现象。

公开(公告)号：CN117410176A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311451354.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 曾丽 ,  杨光 ,  王京 ,  骆壮

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本申请提供了一种形成沟槽的方法、半导体器件的制造方法及工艺设备，该方法包括：在半导体衬底的表面上形成掩膜层；掩膜开口暴露半导体衬底的第一部分的部分表面和第二部分的部分表面，第一部分与第二部分材料不同；交替循环执行改性层生成步骤和改性层刻蚀步骤以形成沟槽；改性层生成步骤用于在第一部分暴露出的表面生成第一改性层及在第二部分暴露出的表面生成第二改性层，改性层刻蚀步骤用于沿掩膜开口刻蚀沟槽底部的第一改性层和第二改性层，并保留沟槽侧壁的第一改性层和第二改性层；第一改性层与第二改性层的刻蚀速率差异小于第一部分与第二部分的刻蚀速率差异。本申请可减小因两种不同半导体材料的刻蚀速率差异较大产生的负载效应。

公开(公告)号：CN117038444A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311024464.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN116741630A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202311022428.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。

公开(公告)号：CN115312384A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210962646.2

申请日：2022-08-11

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法，方法包括：提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；对待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保护步和第一刻蚀步；其中，氧化保护步用于在应变层和牺牲层的侧壁上形成氧化保护层；对待刻蚀对象的侧壁执行第二刻蚀步，直到牺牲层被刻蚀到设定的横向深度；第二刻蚀步的等离子体密度大于第一刻蚀步的等离子体密度。本发明能够实现在刻蚀环栅结构中牺牲层被高选择性地去除，而应变层得到有效的保护。

公开(公告)号：CN114462781A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111636432.8

申请日：2021-12-28

Applicant: 西安北方华创微电子装备有限公司 ,  北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光

IPC: G06Q10/06 ,  G06Q50/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供了一种任务调度方法，该方法包括：获取所有待启动任务的任务数据；任务数据包括待启动任务对应的所有工序对应的工序号、加工时长、加工位置以及加工位置停滞时长；将每个待启动任务的任务数据均输入至任务调度模型，输出每个待启动任务的启动时刻；任务调度模型以执行所有待启动任务所需总时长最短为目标函数，任务调度模型的约束条件与任务数据相关联；根据每个待启动任务的启动时刻，对待启动任务进行任务调度。根据本发明的实施例，可以提升任务完成的效率，进而提升设备产能。

公开(公告)号：CN116844955A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310713043.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元素；第二刻蚀阶段：利用第二刻蚀气体对经过第一刻蚀阶段的剩余厚度的目标膜层进行刻蚀，以增大第一开口槽的侧壁的垂直度；第二刻蚀气体含有第一元素和第二元素；第二刻蚀气体中第一元素的含量小于第一刻蚀气体中第一元素的含量；和/或，第二刻蚀气体中的第二元素的含量大于第一刻蚀气体中的第二元素的含量。本发明能够提升刻蚀速度及刻蚀均匀性，优化了侧壁形貌，能够精准传递关键尺寸。

公开(公告)号：CN115172155A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202211005114.6

申请日：2022-08-22

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 曾丽 ,  杨光 ,  朱海云 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括：第一刻蚀步骤，向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以对衬底进行刻蚀，直至达到预设刻蚀深度；第二刻蚀步骤，向工艺腔室通入第二刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以继续对衬底进行刻蚀，直至达到目标刻蚀深度；其中，第二刻蚀步骤中，第二上电极功率信号和第二下电极功率信号均为射频脉冲信号，且第二上电极功率信号的周期中的信号输出时段和第二下电极功率信号的周期中的信号输出时段同步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，不仅可以降低在刻蚀过程中产生的等离子体诱导损伤，而且还可以有效提高衬底刻蚀后的表面平滑度，避免形成“草”状物质。

公开(公告)号：CN117038444B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311024464.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN117810074A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211165474.2

申请日：2022-09-23

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，停止第一刻蚀工艺步；第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和侧壁保护气体；执行第二刻蚀工艺步，利用第二刻蚀气体继续刻蚀硬掩膜层和衬底，以使刻蚀沟槽达到设定深度；第二刻蚀气体包括主刻蚀气体和阻挡层刻蚀气体。本发明可以在保证浅沟槽隔离结构刻蚀深度的前提下，得到角度连续的“U”形侧壁。