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公开(公告)号：CN103177916A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110430322.6
申请日：2011-12-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01J23/087 , H01J25/50 , H01J37/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管以及磁控溅射设备，所述磁控管包括内磁极以及与其极性相反的外磁极，所述内磁极和所述外磁极在垂直于其轴线的截面上的形状为螺旋形，所述内磁极和所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，从而在所述内磁极和所述外磁极之间形成螺旋形的第一通道和第二通道，所述内磁极的内端部和外端部之间的夹角以及所述外磁极的内端部和外端部之间的夹角均小于或等于720°，而且，所述第一通道和第二通道的内端不连通。该磁控管可以缩短等离子体路径的长度和增加路径的宽度，从而可以降低启辉和维持等离子体的溅射气压，进而可以提高薄膜的致密性和均匀性以及靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN102560406A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010606451.1
申请日：2010-12-24
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提出了一种PVD设备，包括：大气传输系统；至少两个负载锁闭器；传输腔室；与所述传输腔室相连并相通的至少四组反应腔室，每组反应腔室至少包括两个彼此相邻且功能相同的反应腔室；真空机械手，真空机械手设置在所述传输腔室之中，且真空机械手具有至少两个平行的机械臂；以及机械手控制器，且机械手控制器控制真空机械手从至少两个负载锁闭器中同时抓取相应的至少两个晶片，并将至少两个晶片按照预设的顺序依次放入至少四组反应腔室以对至少两个晶片进行至少第一至第四处理。本发明实施例可同时对至少两个晶片进行处理，从而增加了PVD设备的极限产出率。
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公开(公告)号：CN103177916B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110430322.6
申请日：2011-12-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01J23/087 , H01J25/50 , H01J37/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管以及磁控溅射设备，所述磁控管包括内磁极以及与其极性相反的外磁极，所述内磁极和所述外磁极在垂直于其轴线的截面上的形状为螺旋形，所述内磁极和所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，从而在所述内磁极和所述外磁极之间形成螺旋形的第一通道和第二通道，所述内磁极的内端部和外端部之间的夹角以及所述外磁极的内端部和外端部之间的夹角均小于或等于720°，而且，所述第一通道和第二通道的内端不连通。该磁控管可以缩短等离子体路径的长度和增加路径的宽度，从而可以降低启辉和维持等离子体的溅射气压，进而可以提高薄膜的致密性和均匀性以及靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN102808152B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110147138.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片处理设备的加热装置包括：加热灯管，所述加热灯管具有正极和负极且所述加热灯管盘绕成多圈。根据本发明实施例的用于基片处理设备的加热装置可以使得加热面积大且加热均匀。本发明还提供一种具有上述加热装置的腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。
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公开(公告)号：CN101930902A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910087862.1
申请日：2009-06-24
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 宗令蓓
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/324 , C23C14/00 , C23C16/00
Abstract: 本发明公开了一种加热腔室及半导体加工设备，加热腔室内并排布置多根加热管，多根加热管能同速率转动，加热管可以为管状电阻丝或红外线加热管等。还包括导线拖动装置，具体包括设置在固定支架上的转动轴，加热管的一端设有自转轴；加热管的导线一部分缠绕在转动轴上；一部分缠绕在自转轴上。工艺过程中，基板可放置在加热管上，既能对基板进行传动、又能对基板进行均匀加热、且加热效率高。可应用在物理气相沉积设备的AZO工艺腔、SiO2工艺腔、装载腔中；也可以应用在等离子体增强化学气相淀积设备或其它的半导体加工设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898567A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510955079.8
申请日：2015-12-17
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 宗令蓓
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统，涉及半导体技术领域，用于在对基片进行加热的过程中，保证透明介质窗的温度均匀性，进而提高基片的温度的均匀性。所述透明介质窗位于加热组件和基片之间，所述透明介质窗的不同区域的厚度不同，以使所述加热组件对所述透明介质窗加热时，所述透明介质窗的温度均匀。本发明中的透明介质窗在使用加热组件对基片进行加热过程中使用。
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公开(公告)号：CN104752289A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750274.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 宗令蓓
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67742
Abstract: 本发明提供一种传输系统及半导体加工设备，传输系统包括机械手，机械手的上表面用于承载被加工工件，且在机械手的上表面上分布有至少一个凹道，每个凹道的至少一端沿机械手的径向延伸至机械手的边界处，每个凹道与被加工工件的下表面形成气流通道，用以使位于机械手与被加工工件之间的气流经由该气流通道排出。本发明提供的传输系统，不仅可以有效地防止被加工工件相对机械手滑动，进而可以提高传输系统的稳定性；而且可以提高传输系统的传输质量，还可以提高传输系统的适用性。
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公开(公告)号：CN101794990A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910077914.7
申请日：2009-02-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 宗令蓓
Abstract: 本发明公开一种补偿直流自偏压的系统，包括下电极、直流电源、检测模块和控制模块，其中，检测模块用于检测与等离子体处理设备中的直流自偏压存在对应关系的表征参量，并将其测量值传输至控制模块；控制模块根据该测量值产生第一控制信号，并将其传输至直流电源；直流电源根据第一控制信号调整其输出电压，以对直流自偏压进行补偿，从而减小/消除工件上直流自偏压的影响。此外，本发明还公开一种补偿直流自偏压的方法。本发明提供的系统和方法能够对直流自偏压进行实时补偿，因此，既可以提高直流自偏压的补偿精度，又可以使静电夹持装置能够更好地吸附晶片等工件，并且还可以减小氦气漏率、改善工艺结果，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN103805966A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210441099.X
申请日：2012-11-07
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C16/46
Abstract: 本发明提出一种用于加热静电卡盘上晶片的方法，静电卡盘包括第一加热区对应第一加热器，和第二加热区对应第二加热器，该方法包括：获得第一加热区的第一目标温度和第二加热区的第二目标温度；检测第一加热区的第一检测温度和第二加热区的第二检测温度；根据第一目标温度和第一检测温度计算第一误差信号，并根据第二目标温度和第二检测温度计算第二误差信号；根据第一误差信号和第二误差信号分别计算第一校正信号和第二校正信号；分别根据第一校正信号和第二校正信号获得第一加热器和第二加热器的控制信号。该方法能够有效调节加热器不同加热区温度的变化速度，有效抑制温度扰动。本发明还提出了一种用于加热静电卡盘上晶片的系统和CVD设备。
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公开(公告)号：CN103173730A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439653.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及其工艺方法，磁控溅射设备包括装卸腔室、反应腔室以及传输腔室，所述装卸腔室用于装卸被加工工件，在所述反应腔室内设有用以支撑被加工工件的静电卡盘，在所述传输腔室内设有用以在所述装卸腔室和所述反应腔室之间传输所述被加工工件的机械手，其中，用于遮挡所述静电卡盘表面的遮挡盘放置在所述反应腔室外，当需要遮挡所述静电卡盘表面时，所述遮挡盘通过所述机械手被传输至所述静电卡盘的上方，当不需要遮挡所述静电卡盘表面时，再通过所述机械手将所述遮挡盘从所述静电卡盘的上方传输至所述反应腔室外。这不仅可以减小反应腔室的体积，简化磁控溅射设备的结构，而且还可以降低磁控溅射设备的制造成本。
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