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公开(公告)号：CN104091887B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410183020.7
申请日：2014-04-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所
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公开(公告)号：CN104701454A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510064981.0
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种三维交叉阵列透明阻变存储器及其制备方法，所述三维交叉阵列透明阻变存储器包括：第一阻变存储器层区域、第二阻变存储器层区域和介质隔离层，所述介质隔离层设置在所述第一阻变存储器层区域上，所述第二阻变存储器层区域设置在所述介质隔离层上；第一阻变存储器层区域包括第一透明玻璃基底、第一透明氧化物下电极薄膜层、第一透明氧化物阻变层和第一透明氧化物上电极薄膜层；第二阻变存储器层区域包括第二透明氧化物下电极薄膜层、第二透明氧化物阻变层和第三透明氧化物上电极薄膜层。本发明制造成本低、工艺方便简单、大面积集成度高，实现了较大规模三维交叉阵列阻变存储器的制备与在透明电子学中的应用。
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公开(公告)号：CN103915464A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410093949.0
申请日：2014-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法，所述1T1R阵列包括逻辑电路、信号输入电路、信号输出电路、电源Vdd；其中所述逻辑电路包括1T1R单元、第一晶体管；所述1T1R单元包括阻变电阻和第二晶体管。所述逻辑电路连接信号输入电路以及信号输出电路。本发明通过晶体管与阻变电阻的连接关系设计，实现了1T1R阵列复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103915464B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410093949.0
申请日：2014-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法，所述1T1R阵列包括逻辑电路、信号输入电路、信号输出电路、电源Vdd；其中所述逻辑电路包括1T1R单元、第一晶体管；所述1T1R单元包括阻变电阻和第二晶体管。所述逻辑电路连接信号输入电路以及信号输出电路。本发明通过晶体管与阻变电阻的连接关系设计，实现了1T1R阵列复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103500796B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091692A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410241013.8
申请日：2014-05-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高转化效率的太阳能电池结构与制备方法，所述高转化效率的太阳能电池包括：染料敏化电区域、钙钛矿电池区域和透明导电氧化物层(6)；所述染料敏化电区域和钙钛矿电池区域通过所述透明导电氧化物层(6)连接。所述高转化效率的太阳能电池提高了染料敏化区域中光电转换效率的同时，实现了制备过程溶胶凝胶化，降低了制造成本，简化了制备过程，利于大面积制造。
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公开(公告)号：CN104091887A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410183020.7
申请日：2014-04-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/424 , H01L51/0021 , H01L51/442
Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。
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公开(公告)号：CN103500796A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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公开(公告)号：CN103490769B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN104167492A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410292918.8
申请日：2014-06-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549 , H01G9/2031 , H01G9/042
Abstract: 本发明提供一种大面积钙钛矿电池，是在导电玻璃基底上，从基底开始向外依次布置的金属网格、电子传输层、钙钛矿膜层、空穴传输层和背电极接触层，所述金属网格由第一层的铝和第二层的钛组成，所述第一层的厚度为150-250nm，第二层的厚度为80-150nm；所述电子传输层的材料为TiO2+BaTiO3两层组合。本发明提出的金属网格结构可以有效的增强电子在光阳极的转移及减少金属电极与金属氧化物界面间电子的复合，电子传输组合层可以有效增加电子传输层与钙钛矿材料的接触面积及提高光生电子的注入效率，减少钙钛矿类电池增加有源区面积而引起的效率退化。同时使用的Al，Ti，Pd等材料成本低廉，有利于大面积制造。
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