公开(公告)号：CN115928042B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211435828.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贺鑫 ,  邓军 ,  宋钊 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提高溅射制备的金属催化薄层质量的方法属于半导体光电集成领域。本发明提出了一种只需对溅射制备的催化金属薄层做进一步低温工艺处理就能提升其质量，实现高质量石墨烯催化生长的方法。将溅射制备的催化金属薄层放入ICP中，通过优化控制参数，利用Ar+对金属薄层表面的轰击，实现金属薄层表面的重构，提升单晶化，减少缺陷，同时利用Cl‑的微刻蚀作用，进一步降低金属薄层表面的粗糙度，从而实现石墨烯大面积低温原位图形化制备。新方法最大的优点是实现了石墨烯与Si基电路光电集成中全低温制备石墨烯工艺，并与现行的CMOS工艺兼容，同时避免了石墨烯层因转移工艺引起的沾污，褶皱和破损。

公开(公告)号：CN116314002A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310194396.7

申请日：2023-02-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋钊 ,  邓军 ,  贺鑫 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种PDSOI体接触结构的实现方式属于半导体技术领域。本发明还提供了一种新型的器件结构，通过VSTI下面的P型硅区将体区与P+区连接，并在源极和P+体接触区上设置金属硅化物层形成欧姆接触，用以钳制体区电位，维持阈值电压稳定，使寄生双极晶体管不易导通。本发明除了有效抑制PD SOI器件工作时产生的浮体效应之外，还与标准CMOS工艺兼容，做到了不改变沟道宽度，还使体区两端都有接触。

公开(公告)号：CN115928042A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211435828.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贺鑫 ,  邓军 ,  宋钊 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提高溅射制备的金属催化薄层质量的方法属于半导体光电集成领域。本发明提出了一种只需对溅射制备的催化金属薄层做进一步低温工艺处理就能提升其质量，实现高质量石墨烯催化生长的方法。将溅射制备的催化金属薄层放入ICP中，通过优化控制参数，利用Ar+对金属薄层表面的轰击，实现金属薄层表面的重构，提升单晶化，减少缺陷，同时利用Cl‑的微刻蚀作用，进一步降低金属薄层表面的粗糙度，从而实现石墨烯大面积低温原位图形化制备。新方法最大的优点是实现了石墨烯与Si基电路光电集成中全低温制备石墨烯工艺，并与现行的CMOS工艺兼容，同时避免了石墨烯层因转移工艺引起的沾污，褶皱和破损。