公开(公告)号：CN102944336B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210460034.X

申请日：2012-11-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  黄传实 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳

IPC: G01L1/00

Abstract: 一种用于测量TSV电镀铜残余应力的试样夹持与定位装置，属于三维电子封装测试领域。其包括簧片、夹具底座、精密位移台、夹具座、调整臂、螺钉，其中夹具底座上有导轨，导轨底面上有长方形缝隙，实验时试样可沿导轨滑动，试样上的每排铜柱可分别与缝隙对齐，进行实验。簧片通过螺钉固定在夹具底座上，实验时簧片对试样施加向下的压力，固定试样。夹具座和调整臂通过螺栓固定在精密位移台上，夹具座上有圆形通孔和定位条，同于在调整试样位置的时候定位夹具。本发明结构简单、易于操作、并能实现试样在微米尺度上的精确定位。

公开(公告)号：CN103090999B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310010900.X

申请日：2013-01-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  黄传实 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳

IPC: G01L1/00

Abstract: 一种用于TSV填充铜残余应力测量的加热装置，属于封装设备技术领域，包括夹具部分、加热部分和调整载台部分。本发明夹具上的导轨结构可满足一次装卡即可对TSV转接板上的所有铜柱的压出应力进行测量，导轨底面上的缝隙可满足调整一次TSV转接板的位置即可对一排铜柱的压出应力进行测量，使铜柱与载台通孔的对中简单、精确，大大简化了实验的过程，节省实验成本，使用定位弹簧片结构，既能满足TSV转接板左右和上下方向的定位，又可以满足TSV转接板在平面上滑动，结构简单，使用方便。本发明可以对试样进行加热，加热部分可精确控制试样温度，夹具上的加紧弹簧片和定位弹簧片可以有效的消除试样加热时由于试样和夹具材料热膨胀系数的不同而产生的额外应力。

公开(公告)号：CN103165475A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210548637.5

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件的制造方法。制造形成的QFN半导体封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有的台阶结构的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。

公开(公告)号：CN103050452A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210550161.9

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103050419A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210548720.2

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了具有多圈引脚排列的QFN的制造方法。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀和蚀刻方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN102354691A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110344522.X

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法。本高密度四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN102818765B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210310455.4

申请日：2012-08-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  刘程艳 ,  于大全 ,  万里兮

IPC: G01N19/00 ,  G01L5/00

Abstract: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。

公开(公告)号：CN103066044A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210549528.5

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103021890A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210550154.9

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种QFN封装器件的制造方法。制造形成的QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀、机械磨削和切割方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的QFN封装器件具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103021876A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210549526.6

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种高密度QFN封装器件的制造方法。制造形成的高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、以及外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。