公开(公告)号：CN101508572B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910080721.7

申请日：2009-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  张皓琨 ,  刘丹敏 ,  包黎红 ,  马汝广

IPC: C01B35/04 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。

公开(公告)号：CN101508572A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910080721.7

申请日：2009-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  张皓琨 ,  刘丹敏 ,  包黎红 ,  马汝广

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30－60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90－180℃/min的升温速度升温至1350－1650℃，保温时间0－10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。