公开(公告)号：CN105350075B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510849964.8

申请日：2015-11-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  刘洪亮 ,  王杨 ,  李录录 ,  江浩 ,  张久兴

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/00

Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。

公开(公告)号：CN106866152A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710140285.2

申请日：2017-03-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  李录录 ,  张忻 ,  刘洪亮

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1:4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。

公开(公告)号：CN106866152B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201710140285.2

申请日：2017-03-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  李录录 ,  张忻 ,  刘洪亮

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1:4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。

公开(公告)号：CN105350075A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510849964.8

申请日：2015-11-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  刘洪亮 ,  王杨 ,  李录录 ,  江浩 ,  张久兴

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/00

CPC classification number: C30B29/10 ,  C30B13/00

Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。