公开(公告)号：CN109545963B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201811517589.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 北京时代全芯存储技术股份有限公司

Inventor： 蔡尚修 ,  张明丰

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种制造相变化记忆体的方法，包含：形成一结构，包含：底电极；介电层，位于底电极上方；隔离层，位于介电层上方，并具有开口贯穿隔离层；以及多晶硅层，位于开口内；形成第一孔洞及第二孔洞分别贯穿多晶硅层及介电层，第二孔洞位于第一孔洞的下方；形成保护层于第一孔洞及第二孔洞内及多晶硅层上方；移除保护层的一部分，以暴露多晶硅层，并留下第二孔洞内的保护层；对暴露的多晶硅层进行干蚀刻制程，以移除多晶硅层；移除第二孔洞内的保护层，以暴露第二孔洞；以及沉积加热材料至第二孔洞内。此方法不使用氢氧化四甲基铵溶液移除多晶硅层，可避开使用氢氧化四甲基铵溶液造成的危险，又可避免介电层中的孔洞损伤，使孔洞具有良好的尺寸稳定性。

公开(公告)号：CN109888095B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910193274.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京时代全芯存储技术股份有限公司

Inventor： 赖徵奋 ,  蔡尚修 ,  张明丰

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 一种相变化记忆体及其制造方法，相变化记忆体包括下电极、第一介电层、加热器、第二介电层、相变化层、以及上电极。第一介电层具有暴露出下电极的第一开口，其中第一介电层是通过使用一光罩进行图案化制程所形成。加热器设置于第一开口的侧壁上，并接触下电极。第二介电层具有暴露出加热器的第二开口，其中第二介电层是通过使用相同的光罩进行图案化制程所形成。相变化层设置于第二开口的侧壁上，并接触加热器。上电极设置于相变化层上。本发明的相变化记忆体的制造制程中，较容易控制加热器与相变化层之间的对准，从而降低制造成本及提升制造良率。