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发明授权
相变化记忆体及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN109888095B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910193274.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京时代全芯存储技术股份有限公司

Inventor： 赖徵奋 , 蔡尚修 , 张明丰

IPC: H10B63/10 , H10N70/20

Abstract: 一种相变化记忆体及其制造方法，相变化记忆体包括下电极、第一介电层、加热器、第二介电层、相变化层、以及上电极。第一介电层具有暴露出下电极的第一开口，其中第一介电层是通过使用一光罩进行图案化制程所形成。加热器设置于第一开口的侧壁上，并接触下电极。第二介电层具有暴露出加热器的第二开口，其中第二介电层是通过使用相同的光罩进行图案化制程所形成。相变化层设置于第二开口的侧壁上，并接触加热器。上电极设置于相变化层上。本发明的相变化记忆体的制造制程中，较容易控制加热器与相变化层之间的对准，从而降低制造成本及提升制造良率。

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