多核处理器数据共享控制方法、装置、存储模块及芯片

    公开(公告)号:CN117609114B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202311499211.X

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种多核处理器数据共享控制方法、装置、存储模块及芯片,控制方法应用于第一单元和第二单元之间的信息交互。第一单元的存储空间被划分为多个子存储空间,第二单元包括多个处理器单元,每一个子存储空间与一个处理器单元相匹配。控制方法包括:在发出请求的处理器单元与请求访问的子存储空间相匹配的情况下,发出请求的处理器单元能够直接访问请求访问的子存储空间。主处理器单元用于设置每一个处理器单元的访问权限。每一个处理器单元可以通过主处理器单元更改访问权限,使得每一个处理器单元可以访问任意一个子存储空间,提高了处理器单元对子存储空间的访问效率,也就提高了第二单元对第一单元的访问效率。

    锁相环的频率锁定控制方法、频率锁定电路及芯片

    公开(公告)号:CN116865747A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310886377.0

    申请日:2023-07-18

    Abstract: 本申请公开了一种锁相环的频率锁定控制方法、频率锁定电路及芯片,该频率锁定控制电路在检测到频率锁定环路处于锁定状态时,控制频率锁定环路基于第一死区宽度处于断开状态。由于第一死区宽度大于参考时钟信号与分频时钟信号的相位差,因此可以有效确保欠采样锁相环路进行频率锁定的过程中,以及欠采样锁相环处于锁定状态后,该频率锁定环路一直保持断开状态。由此可以有效避免出现频率锁定环路和欠采样锁相环路来回切换的问题,避免输出频率震荡的现象,同时,提高了芯片的时钟精度,进而提高了芯片的性能和可靠性。

    消除电容电压系数对全差分SAR-ADC性能影响的方法

    公开(公告)号:CN108259040A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810153781.6

    申请日:2018-02-22

    Abstract: 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤:提供一种全差分SAR‑ADC,其包括多个电容,所述多个电容包括第一电容和第二电容,且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数;将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0,所述特定条件为A1K1+A2K2=0,其中A1为第一电容的电压二阶系数,A2为第二电容的电压二阶系数,K1是第一电容的理想电容值,K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响,降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。

    一种带隙基准参考源电路

    公开(公告)号:CN107608440A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201711014994.2

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路,包括:第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器;差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连,差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连;差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路,通过选取适当的阻值,可以得到小于1V的带隙基准电压,并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时,可以消除温度引起漏源电压变化,从而降低沟道调制效应的影响。

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