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公开(公告)号：CN116039175B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211670798.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B33/00 , B23P15/00 , B21B1/38 , B21B47/00 , C22C21/06 , C22F1/02 , C22F1/047 , C22F1/08
Abstract: 一种超薄界面的极薄铝铜复合带材及其制备方法，该带材由铝箔和铜箔轧制复合而成；其中，铝箔的成分为：镁0.2％‑0.4％，铒0.01％‑0.03％，余量为铝或铝合金；铜箔的成分为纯度≥99.99％的电子无氧铜；该复合带材结合界面层厚度≤0.01mm，铜铝厚度比1/9～1/11，带材的厚度为0.18～0.24mm。制备方法包括：对铝合金与铜的表面进行矫平、打磨处理，通过搅拌摩擦焊接获得预成型锭坯，经冷轧复合成形、中间轧制成形、精密轧制成形、成品退火制得。本方法可以控制复合层厚度，实现极薄铝铜复合带材的有效复合，同时可获得无限长且成形质量良好的表面，实现了超薄界面的极薄铝铜复合带材的大批量制备，并实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN116039175A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211670798.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B33/00 , B23P15/00 , B21B1/38 , B21B47/00 , C22C21/06 , C22F1/02 , C22F1/047 , C22F1/08
Abstract: 一种超薄界面的极薄铝铜复合带材及其制备方法，该带材由铝箔和铜箔轧制复合而成；其中，铝箔的成分为：镁0.2％‑0.4％，铒0.01％‑0.03％，余量为铝或铝合金；铜箔的成分为纯度≥99.99％的电子无氧铜；该复合带材结合界面层厚度≤0.01mm，铜铝厚度比1/9～1/11，带材的厚度为0.18～0.24mm。制备方法包括：对铝合金与铜的表面进行矫平、打磨处理，通过搅拌摩擦焊接获得预成型锭坯，经冷轧复合成形、中间轧制成形、精密轧制成形、成品退火制得。本方法可以控制复合层厚度，实现极薄铝铜复合带材的有效复合，同时可获得无限长且成形质量良好的表面，实现了超薄界面的极薄铝铜复合带材的大批量制备，并实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN115044797A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210673985.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法，属有色金属压延加工领域。该材料中Au含量≥99.99wt％，掺杂元素包含Ag、Cu、Pb、Sb、Bi、Be、Fe、Ca和Mg；为截面是圆角矩形的异形金属金带。其制备方法包括备料、线坯制备、圆丝拉拔、精密成型、在线热处理和密排复绕。本方法制备的键合金带通条性、平直度好，且规格精确，并且保证成品表面洁净无污染、无明显划痕裂纹。50倍显微镜下检查，表面无超过5％的刻痕、划痕、裂纹、凸起、凹坑、弯折等缺陷，具有广泛的市场前景。该制备方法工艺自动化程度高，生产效率高，利于大批量生产。
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公开(公告)号：CN116005055B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211589519.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电池阳极锂硼材料及其制备方法，属于热电池阳极材料技术领域。该材料按重量百分比计，B的含量为25‑40％，Mg的含量为0‑6％，RE的含量为0.01‑0.5％，RE为La、Ce、Sc、Pr、Nd和Er中的一种或多种，其余为Li。本发明通过采用气氛保护合成、压铸制备锭坯、表面处理、精密轧制及冲制，获得所需规格热电池阳极圆片。本发明通过添加微量稀土元素，提高材料的高温稳定性与化学稳定性，改善材料的比容量及循环性能，且制备工艺流程短、材料利用率高，材料组织稳定性与均匀性良好。
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公开(公告)号：CN117558685A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311559076.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法，该管壳结构包括壳底和壳壁；壳底长≥10mm，宽≥10mm；壳壁高度≥5mm，厚度为1～3mm；该管壳结构为铝基材料与碳化硅复合而成，铝基材料含镁3‑4wt％，硅5‑7wt％，余量为铝或铝合金；碳化硅占总重量的30％‑70％。制备方法包括：在铝基材料的设定区域进行铣床钻孔，填充碳化硅粉末，通过搅拌摩擦加工在该区域制备铝基碳化硅复合材料，经精密轧制成形、成品退火后铣床铣削去多余的铝基体，制备出铝基碳化硅复合管壳结构。该方法可以调控铝基碳化硅复合材料的碳化硅含量，并且可以保证复合材料内部的均匀性、致密性，提高了铝基碳化硅复合材料的可加工性、稳定性，实现在电子产品中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116005055A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211589519.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电池阳极锂硼材料及其制备方法，属于热电池阳极材料技术领域。该材料按重量百分比计，B的含量为25‑40％，Mg的含量为0‑6％，RE的含量为0.01‑0.5％，RE为La、Ce、Sc、Pr、Nd和Er中的一种或多种，其余为Li。本发明通过采用气氛保护合成、压铸制备锭坯、表面处理、精密轧制及冲制，获得所需规格热电池阳极圆片。本发明通过添加微量稀土元素，提高材料的高温稳定性与化学稳定性，改善材料的比容量及循环性能，且制备工艺流程短、材料利用率高，材料组织稳定性与均匀性良好。
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公开(公告)号：CN115781307A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211527026.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B23P23/06
Abstract: 本发明涉及一种金属片状圆环制备方法，属于冶金和压延加工领域。本发明方法包括备料，连续铸造得到棒状铸锭，经过多道次拉拔加工得到圆形截面线材；通过异形截面拉拔/轧制得到梯形截面扁线；再通过精密特种轧制加工成弹簧状扁线材；裁切得到金属片状圆环制品。本发明避免传统的片状圆环制品制备过程中出现的问题，能够制备出尺寸精密、表面清洁、性能优良稳定的片状圆环材料，可推广应用于多种金属片状圆环材料的制备方法中。该方法过程简便，易于操作，提高了材料利用率，改善了材料表面清洁性，可以制得尺寸精准、表面清洁、性能优异的片状圆环材料，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN119141064A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411409799.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种银基多元近共晶中温真空钎料及其制备方法，属于有色金属钎焊领域。该钎料按重量百分比计算，包含：Cu 19.5～21.0wt％，In 9.0～10.0wt％，Ge 4.5～5.5wt％，Sn 4.2～4.8wt％，Ni 1.8～2.2wt％，Si 1.7～2.0wt％，Co 0.05～0.2wt％，Ag为余量。其制备方法包括中间合金制备、真空中频感应熔炼、离心速冷铸造、真空热处理调控、热轧开坯、表面处理、精密冷轧。该合金熔点低，所需真空钎焊温度低，且针对不锈钢具备优异的润湿特性，钎焊后接头强度高，满足真空电子器件中316L不锈钢基材中温真空钎焊封装、梯度钎焊及补焊需求。
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公开(公告)号：CN117660899A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311681209.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法，属于金属溅射靶材材料制备领域。制备方法包括备料、合金化熔炼、离心铸造成形、同步水冷快速凝固和表面机加工等步骤。通过惰性气流保护冶炼、高频感应加热、浸入式加料、旋转叶片均匀搅拌、充压式离心铸造、同步水冷快速凝固以及表面机加工，可以制备圆形、矩形和异形不同规格尺寸的靶材。该制备方法可以解决活泼金属元素难以掺杂锌基溅射靶材难题，获得较高含量的掺杂元素成分合金，制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点，并且有效减少靶材机加工工作量，具备生产效率快、成品率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN221549326U
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202323346941.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种真空熔炼坩埚，属于真空熔炼设备和坩埚领域。该坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚盖与坩埚主体之间通过螺纹密封连接，坩埚盖上设有进气管和出气管，以便坩埚主体内部抽真空和进、出保护性气体；坩埚盖中心设有可升降的陶瓷杆，陶瓷杆下部设有旋转叶片；坩埚主体下部设有一个出料口。该坩埚可满足半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的真空熔炼及二次加料的需求，使制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点，并且利于大批量规模生产。
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