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公开(公告)号：CN114428180B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210049857.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国科学院物理研究所 , 北京理工大学 , 中国科学院大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 结构被破坏的问题。本发明公开了一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。本发明通过真空中原位蒸镀富勒烯(C60)薄膜和金属薄膜或非金属薄膜的(56)对比文件赵兴钰 等.C60-有机聚合物薄膜的结构.《真空科学与技术》.1994,第14卷(第2期),第119-122页.马浚 等.银加载爆轰实验中生成的固体粒子表征《.爆炸与冲击》.2013,第33卷(第06期),第639-646页.吴克 等.富勒烯薄膜上二维金属渗流系统的电击穿现象《.物理学报》.1996,第45卷(第11期),第1905-1912页.Zhu, Zhi-Li 等.Charge density wavestates in phase-engineered monolayerVTe2《.Chinese Physics B》.2022,第31卷(第7期),第077101- 1-6页.Imran,M 等.Highly efficient andstable inverted perovskite solar cellswith two-dimensional ZnSe deposited usinga thermal evaporator for electroncollection《.Journal of MaterialsChemistry A》.2018,第6卷(第45期),第22713-22720页.伍春燕 等.Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析《.光谱学与光谱分析》.2002,第22卷(第3期),第495-497页.Moritz Riede 等.Optimization oforganic tandem solar cells based on smallmolecules《.2010 35th IEEE PhotovoltaicSpecialists Conference》.2010,第000513-000517页.傅继业.应用于纳米孔光学检测的石墨烯薄膜转移方法的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》.2020,(第5期),第B014-5页.朱知力.新型二维钒碲化合物材料的制备与物性研究《.中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》.2023,(第2期),第A005-332页.
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公开(公告)号：CN116836033A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310721885.3
申请日：2023-06-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07C1/26 , C07C15/14 , C07C51/353 , C07C63/333 , B01J23/46 , B01J33/00 , C07C13/547 , C07B37/04 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种改进的乌尔曼偶联方法，通过在乌尔曼偶联作用层表面形成保护层，将芳香族卤代物前驱体吸附在形成有保护层的乌尔曼偶联作用层上，热处理发生乌尔曼偶联反应得到具有C‑C共价键的低维纳米结构。该方法通过在乌尔曼偶联作用层表面设置保护层，能避免乌尔曼偶联作用层表面被毒化导致失去反应活性，同时减少生成有机金属配体等副产物，提高了反应产率和产量。
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公开(公告)号：CN114428180A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210049857.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国科学院物理研究所 , 北京理工大学 , 中国科学院大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。本发明通过真空中原位蒸镀富勒烯(C60)薄膜和金属薄膜或非金属薄膜的方法，解决了二维纳米材料制备STEM样品需经过暴露大气，导致样品被污染以及后续取样中表征结构被破坏的问题。
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公开(公告)号：CN118458705A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410538805.5
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法，其主要包括：(1)采用分子束外延三温度法在石墨烯衬底上制备单层VTe2；(2)在真空环境下，将纯度为99.999％的硒原子蒸发沉积到单层VTe2表面上，同时保持单层VTe2及石墨烯衬底在一个预设反应温度，以使沉积的硒原子与单层VTe2产生相互作用，并充分扩散，可控生成Janus结构钒硫族化物的二维有序的硒化产物VTeSe和VSe2中的任意一个。本发明构思合理，能够生长出一种新型的Janus结构钒硫族化合物或者可控硒化得到VSe2。
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公开(公告)号：CN113403587B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110685863.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可移动温控沙浴束源炉及其安装和镀膜方法，通过填充沙能够使得热量传递更快，温度控制更精确迅速，并且结构设计为可移动，利于在不同真空腔的使用兼容性及普遍性。本申请的可移动温控沙浴束源炉通过填充沙实现采用沙浴加热方式加热，使热量传递方式从单一的热辐射传递变为热传导和热辐射两种热传递方式，使热量传递更快，温度控制更精确迅速；同时，本申请的可移动温控沙浴束源炉结构简单，可移动的特点利于调节束源炉在真空蒸镀腔里的位置以及相对于样品的位置，也利于束源炉对不同构造的真空蒸镀腔的广泛兼容性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113403587A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110685863.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可移动温控沙浴束源炉及其安装和镀膜方法，通过填充沙能够使得热量传递更快，温度控制更精确迅速，并且结构设计为可移动，利于在不同真空腔的使用兼容性及普遍性。本申请的可移动温控沙浴束源炉通过填充沙实现采用沙浴加热方式加热，使热量传递方式从单一的热辐射传递变为热传导和热辐射两种热传递方式，使热量传递更快，温度控制更精确迅速；同时，本申请的可移动温控沙浴束源炉结构简单，可移动的特点利于调节束源炉在真空蒸镀腔里的位置以及相对于样品的位置，也利于束源炉对不同构造的真空蒸镀腔的广泛兼容性。
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公开(公告)号：CN119929878A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510057145.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01G35/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法，至少包括如下步骤：将氧等离子体轰击至1T相二硫化钽材料上，能够提高所述1T相二硫化钽材料表明相变为2T相二硫化钽的相变温度；以及一种具有高相变温度的1T相的二硫化钽材料；以及通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法的应用。发明实现对二硫化钽相变温度的提高，且通过改变氧等离子体处理的时间能够实现对1T相二硫化钽相变温度的调控，以获得高相变温度的1T相二硫化钽材料，拓宽1T相二硫化钽材料在异质材料异质结等领域中的应用范围。
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公开(公告)号：CN115992346B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN116666267A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310507570.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种与晶圆级制备设备对接的旗形样品架原位转移装置，其包括均处于超高真空腔体内的储样设备、样品架、磁力传样杆、Y形晶圆架和样品生长台；储样设备包括金属圆片；样品架插槽设在金属圆片上且与金属圆片按照设计位置相互固定连接；样品架插槽由一对彼此平行布置的插板以及固设在一对插板一端端部的夹片组成；对于送入储样设备的样品，可被夹片固定在金属圆片的圆心到边缘之间任意位置；样品架插装于样品架插槽中。本发明通过在金属圆片上加设样品架插槽，使其上的样品可以对晶圆级基底任意位置的薄膜生长情况进行反馈，同时金属圆片可以很好的模拟正常晶圆级薄膜生长时的整体加热情况。
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公开(公告)号：CN114994340A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210486518.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于与手套箱对接的超高真空转移装置及转移方法，装置包括：与所述手套箱可连通或闭合地连接且形成有多个通道的连通腔体，以及分别与其中一个所述通道可连通或闭合地连接的真空环境发生机构、惰性气体发生机构和样品传输机构；且，所述真空环境发生机构用于将所述连通腔体中形成为超高真空环境；所述惰性气体发生机构用于向所述连通腔体中提供惰性气体；所述样品传输机构用于将样品自所述连通腔体中转移至所述手套箱中。实现了样品在超高真空环境和可控高纯惰性气体环境之间的切换，同时整个过程能够有效保证样品的高度清洁，为后续研究提供了有利的支持的效果。
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