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公开(公告)号：CN106422044B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610730862.9
申请日：2016-08-26
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法，其制备方法包括：单晶硅片的准备；硅片表面形成二氧化硅；硅片正面甩光刻胶、烘胶并图形化；刻蚀二氧化硅层得到微针的刻蚀窗口；硅片各向异性刻蚀得到锥形尖端；硅片深反应离子刻蚀得到深孔；原子层沉积方法沉积氧化铪膜；硅上氧化铪的完全刻蚀；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，露出氧化铪微针末端；Oxford刻蚀机刻蚀掉氧化铪微针末端；硅片背面继续碱性溶液湿法刻蚀得到裸露的氧化铪微针阵列；切片。所制得的氧化铪空心微针呈柱状空心结构，微针末端为开口或不开口；本发明微针既可用于TDD，也可用于生物医学取样分析、用做生物医学用微电极。
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公开(公告)号：CN104591074A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510031951.X
申请日：2015-01-22
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其以硅晶圆片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜-单晶硅膜-聚合物膜”的柔性三明治结构薄膜，其制备方法包括以下具体步骤：硅晶圆片的准备；硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；硅单晶膜正面和背面分别涂覆聚合物膜及曝光烘胶，切除环状保护外框。本发明的三明治结构薄膜，外层的聚合物膜对中间的硅膜既起保护作用以避免制作到其上的电子器件受到外界环境的腐蚀，又能增加基于三明治结构的硅薄膜的柔性，提高器件性能；工艺过程中形成的环状保护外框增加了工艺操作的可行性。
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公开(公告)号：CN115308272A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210887817.X
申请日：2022-07-26
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种柔性电容型湿度传感器及其制备方法，传感器由下至上包括聚酰亚胺PI柔性衬底、Ag电极层和湿度敏感层。其中，湿度敏感层使用醋酸丁酸纤维素CAB。CAB作为一种适用于电容式湿度传感器的聚合物材料，其具有亲水基团较弱，水分子的吸附量少，吸附的水分子近似单独存在，水分子不容易凝聚等特点。其检测过程如下：在CAB中掺入电解质盐(醋酸钾)后，随着湿度增加，在水分子溶剂化的作用下，离子在相邻位置间的迁移更加自由，离子迁移率增加，使得电解质溶解并电离产生离子，导致湿度敏感层的阻抗变化，从而达到湿度检测的目的。与传统使用CAB制造的湿度传感器相比，电解质的引入使得湿度传感器具有更高的灵敏度，同时具有良好的重复性和柔韧性。
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公开(公告)号：CN106422044A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610730862.9
申请日：2016-08-26
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: A61M37/0015 , B81C1/00015 , B81C1/00111
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法，其制备方法包括：单晶硅片的准备；硅片表面形成二氧化硅；硅片正面甩光刻胶、烘胶并图形化；刻蚀二氧化硅层得到微针的刻蚀窗口；硅片各向异性刻蚀得到锥形尖端；硅片深反应离子刻蚀得到深孔；原子层沉积方法沉积氧化铪膜；硅上氧化铪的完全刻蚀；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，露出氧化铪微针末端；Oxford刻蚀机刻蚀掉氧化铪微针末端；硅片背面继续碱性溶液湿法刻蚀得到裸露的氧化铪微针阵列；切片。所制得的氧化铪空心微针呈柱状空心结构，微针末端为开口或不开口；本发明微针既可用于TDD，也可用于生物医学取样分析、用做生物医学用微电极。
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公开(公告)号：CN103569951A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310471836.5
申请日：2013-10-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备非硅MEMS悬空膜结构的方法，该方法包括以下具体步骤：衬底的准备；溅射Ti/Cu电镀种子层；涂覆聚酰亚胺、烘胶、光刻；甩正胶、烘胶图形化；电镀桥墩；溅射Ti/Cu电镀种子层；甩胶、烘胶、光刻图形化；电镀悬空膜结构；湿法去除正胶、干法去除聚酰亚胺。本发明的优点是有机材料作牺牲层减小应力，合成牺牲层免了单独使用正胶厚度受限且易出现龟裂的缺点、避免了单独使用聚酰亚胺刻蚀时间过长、悬空结构易变形的缺点，有利于制作面积较大的悬空膜结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102374948A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110280393.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法，该方法的样品单元是在衬底上设置呈“十”字形的悬梁及扭梁，悬梁两端的上电极和衬底上的下电极能够用于静电驱动，其中扭梁的截面为倒“T”形；其制备包括：衬底的准备；溅射Cr/Cu电镀种子层；涂胶、烘胶、光刻图形化；电镀引线及上下电极；电镀扭悬梁；去除光刻胶及部分电镀种子层，实现悬空结构的释放步骤；对制备的样品单元采用非接触式静电驱动：悬梁两端交替激励至谐振、悬梁两端同时激励弯曲变形，利用垂直扫描干涉系统对其薄膜结构进行谐振频率及原位变形的非接触静/动态的测量，将结果进行比对分析，结合ANSYS仿真，得到较为精确、全面的薄膜结构材料的力学性能特征参数。本发明能同时进行弯曲和扭转实验，从而实现对材料力学性能多个特征参数、尤其是包括泊松比σ的测试与评价，具有相对误差小、精度高的优势。
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公开(公告)号：CN104591074B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510031951.X
申请日：2015-01-22
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其以硅晶圆片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜-单晶硅膜-聚合物膜”的柔性三明治结构薄膜，其制备方法包括以下具体步骤：硅晶圆片的准备；硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；硅单晶膜正面和背面分别涂覆聚合物膜及曝光烘胶，切除环状保护外框。本发明的三明治结构薄膜，外层的聚合物膜对中间的硅膜既起保护作用以避免制作到其上的电子器件受到外界环境的腐蚀，又能增加基于三明治结构的硅薄膜的柔性，提高器件性能；工艺过程中形成的环状保护外框增加了工艺操作的可行性。
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公开(公告)号：CN101030033A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710039017.8
申请日：2007-03-30
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 一种用于制作MEMS悬空结构的叠层光刻胶牺牲层技术方法，包括以下工艺操作步骤：衬底的准备；溅射Cr/Cu电镀种子层；甩胶、烘胶、光刻图形化；电镀支撑用立柱；溅射Cr/Cu电镀种子层；甩胶、烘胶、光刻图形化；电镀悬梁与加强筋的叠层悬空结构；分层刻蚀法去除光刻胶及部分电镀种子层；用逐步替换法实现悬空结构的湿法释放。该方法的优点是光刻胶牺牲层可以直接、高精度地图形化，因而能够更容易地实现复杂自由结构的加工并选择性释放，简化了器件集成制造的工艺；该方法与传统IC加工的材料与工艺有很好的兼容性。
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公开(公告)号：CN101431172B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200810041122.X
申请日：2008-07-29
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 一种含MEMS开关的可重构微波低通滤波器及其制备。该滤波器是制作在高阻硅片的衬底上的集成电路，CPW共面波导地线和信号线构成感抗元件，MEMS开关一方面构成容抗元件，另一方面通过其通断改变共面波导的长度，使该滤波器的频率可调。该滤波器以高阻硅片为衬底，用与IC工艺兼容的工艺，通过热氧化，蒸发钛层和金层，正胶光刻、电镀，负胶光刻，腐蚀金层、钛层，去负胶，生长氮化硅膜，去除氮化硅膜，蒸发淀积铝硅合金膜，腐蚀铝硅合金膜形成桥膜和去除牺牲层等工艺步骤制得，有结构紧凑简单，尺寸微小，隔离度好，插入损耗低，控制电路功耗低，工作频率高，与传统的IC工艺兼容，成本低廉，适合于批量生产的优点。
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公开(公告)号：CN101431172A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810041122.X
申请日：2008-07-29
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 一种含MEMS开关的可重构微波低通滤波器及其制备。该滤波器是制作在高阻硅片的衬底上的集成电路，CPW共面波导地线和信号线构成感抗元件，MEMS开关一方面构成容抗元件，另一方面通过其通断改变共面波导的长度，使该滤波器的频率可调。该滤波器以高阻硅片为衬底，用与IC工艺兼容的工艺，通过热氧化，蒸发钛层和金层，正胶光刻、电镀，负胶光刻，腐蚀金层、钛层，去负胶，生长氮化硅膜，去除氮化硅膜，蒸发淀积铝硅合金膜，腐蚀铝硅合金膜形成桥膜和去除牺牲层等工艺步骤制得，有结构紧凑简单，尺寸微小，隔离度好，插入损耗低，控制电路功耗低，工作频率高，与传统的IC工艺兼容，成本低廉，适合于批量生产的优点。
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