公开(公告)号：CN119165387A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411236549.0

申请日：2024-09-04

Applicant: 上海空间电源研究所 ,  华东理工大学 ,  上海航天电源技术有限责任公司

Inventor： 李清波 ,  解晶莹 ,  赵磊 ,  何秋晨 ,  杨文 ,  赵芝云 ,  罗英 ,  吕桃林 ,  闵凡奇

IPC: G01R31/392 ,  G01R31/367 ,  G01R31/396

Abstract: 本发明提供一种基于模糊层次分析的锂电池组一致性评分方法，属于电池评估技术领域，包括：步骤S1，获取锂电池组中每个电池单体的一致性评估指标，包括离群因子、标准差、电池单体之间的相关系数以及离群次数；步骤S2，进行模糊层次分析处理，得到待评估电池单体的一致性分数；步骤S3，根据锂电池组中的所有电池单体的一致性评估指标进行模糊层次分析处理，得到锂电池组的一致性分数，并根据各个电池单体的一致性分数确定故障单体，并评定故障等级。有益效果：通过模糊层次分析法，采用离群因子、标准差、相关系数以及离群次数作为一致性评估指标，定量地评估出单个电池单体以及整个锂电池组的性能，提高电池单体的故障判定的准确性。

公开(公告)号：CN117517966A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311374705.5

申请日：2023-10-23

Applicant: 华东理工大学 ,  上海空间电源研究所

Inventor： 李纪伟 ,  赵芝芸 ,  吕桃林 ,  杨文 ,  赵磊 ,  朱松浩 ,  付诗意 ,  王铭玮

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/396 ,  G01R31/3842 ,  G06F18/213 ,  G06F18/2433 ,  G06F18/10

Abstract: 本发明提供一种电池组的故障诊断方法，包括：获取充电段的电压数据；对充电段的电压数据进行特征提取，得到各个电池单体在滑动窗内的标准差和信息熵，以作为各个电池单体的二维特征向量；使用局部离群因子算法对所有电池单体进行一致性检测，筛选出局部离群因子高的电池单体作为不一致单体；对不一致单体的固定工况的数据进行充电片段的DTW计算，以得到不一致单体中参考片段与其余充电片段的DTW；根据每个不一致单体的DTW值的变化情况和大小来判断该不一致单体是否是故障单体。本发明的方法能够避免单体之间的不一致导致的误检测问题，提高故障单体定位的准确性。

公开(公告)号：CN118425801A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410522336.8

申请日：2024-04-28

Applicant: 华东理工大学 ,  上海空间电源研究所

Inventor： 赵磊 ,  赵芝芸 ,  吕桃林 ,  杨文 ,  解晶莹 ,  韩聪 ,  胡圣轩 ,  周亮

IPC: G01R31/385 ,  G01R31/396

Abstract: 本发明涉及一种锂电池故障诊断方法及系统，方法包括：获取锂电池的多个充放电片段的充放电数据；获得恒流工况下的各单体在该充放电片段的电压序列；针对每个充放电片段，从各单体中确定中心单体，作为该充放电片段的参考单体；将各单体在该充放电片段的电压序列均减去参考单体在该充放电片段的电压序列，得到各单体在该充放电片段的电压差序列；计算该单体在每个充放电片段的电压差序列与该单体在第一个充放电片段的电压差序列之间的相似度，作为该单体在该充放电片段的相似度；根据该单体在各充放电片段的相似度确定该单体的故障情况。本发明的锂电池故障诊断方法及系统，可减小故障单体的故障数据带来的影响，提高故障诊断的准确性和时效性。

公开(公告)号：CN119451368A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411602000.9

申请日：2024-11-11

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张斌 ,  赵磊 ,  轩福贞

IPC: H10K10/50 ,  H10K85/10 ,  H10K71/10 ,  H10K19/00 ,  H10B63/00 ,  C08G12/08

Abstract: 本发明属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种光电双响应蒽基二维共价有机框架器件及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种COF‑DaTp的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的波长的光脉冲，器件表现出双光电调制，对光脉冲表现出显著的光电电阻切换，实现了32个光电导态。此外，它在电压扫描和电脉冲中表现出与历史相关的忆阻行为，具有32种导电状态，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。

公开(公告)号：CN118042920A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311847886.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 李金勇 ,  赵磊 ,  时珺乐 ,  王佳欢 ,  胡冰洋 ,  彭国栋 ,  李伟 ,  张斌

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点的忆阻器及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种ZnTPP‑g‑GQDs:PVP的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。此外，该器件在一个小的扫描电压下表现出可连续调控的电流，通过制备的阻变存储器件模拟了生物突触的增强和抑制，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。

公开(公告)号：CN117042586A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310866757.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张斌 ,  李金勇 ,  颜青 ,  赵磊 ,  陈彧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明属于有机/高分子神经形态器件领域，具体提供了一种含二芳基乙烯的光电双响应聚合物薄膜的阻变存储器件及其制备方法和应用。器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种新型光电双响应高分子材料poly(DAE‑TPB)的薄膜。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流‑电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。基于光调电阻特性，器件将可应用于光控逻辑运算。该聚合物忆阻器能实现存算一体化，可用于信息存储，在人工智能领域具有优异的应用前景。