公开(公告)号：CN116130443A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310124111.2

申请日：2023-02-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  刘柏寒 ,  康勇

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本申请公开了一种用于高温环境的碳化硅功率模块双面散热封装结构，包括：底层DC‑陶瓷基板、DC‑金属层、底层AC陶瓷基板、第一AC金属层、顶层DC+陶瓷基板、DC+金属层、顶层AC陶瓷基板、第二AC金属层、第一SiC功率半导体器件、第二SiC功率半导体器件、陶瓷夹层、第一阳极金属导电通孔、AC金属导电通孔、第二阳极金属导电通孔、DC‑金属接线端子、DC+金属接线端子和AC金属接线端子。本申请在两层陶瓷基板之间插入氮化铝多层陶瓷基板作为夹层，提供机械支撑，保证模块具备足够的机械强度，其陶瓷夹层起到和金属垫片相同的调节高度的作用，但热膨胀系数更接近碳化硅芯片，降低界面热应力，改善模块可靠性。

公开(公告)号：CN118074480A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410242655.3

申请日：2024-03-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  刘柏寒 ,  刘佳欣 ,  柳依鹏 ,  吕坚玮 ,  康勇

IPC: H02M1/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及一种新型封装功率模块，包括：上层部件和下层部件，通过上层部件和下层部件构建叠层结构，实现三维换流回路；上层部件包括：若干个上桥臂芯片，上桥臂芯片设置在第一正电极层和第二正电极层上，若干个下桥臂芯片，下桥臂芯片设置在第一上层交流电极层和第二上层交流电极层上；下层部件包括：底层交流电极层，底层交流电极层分别与上桥臂芯片、第一上层交流电极层和第二上层交流电极层连接。本发明能够使得并联开关管芯片分组反相并联设置，相邻两组桥臂之间在同一平面内反向并联，能够减小寄生电感及提高开关性能。

公开(公告)号：CN119920778A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510094705.2

申请日：2025-01-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  吕葳杉 ,  吕坚玮 ,  刘佳欣 ,  韦苏航 ,  刘柏寒 ,  康勇

IPC: H01L23/38 ,  H10N10/17 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法，双面散热结构包括：由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23，其中，第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连，所述第二导体层和第三导体层并列排布。本发明通过在功率芯片下表面直接集成冷端基板来避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，同时也在功率芯片上表面集成冷端基板，实现功率芯片的双面高效散热。

公开(公告)号：CN118074480B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410242655.3

申请日：2024-03-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  刘柏寒 ,  刘佳欣 ,  柳依鹏 ,  吕坚玮 ,  康勇

IPC: H02M1/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及一种新型封装功率模块，包括：上层部件和下层部件，通过上层部件和下层部件构建叠层结构，实现三维换流回路；上层部件包括：若干个上桥臂芯片，上桥臂芯片设置在第一正电极层和第二正电极层上，若干个下桥臂芯片，下桥臂芯片设置在第一上层交流电极层和第二上层交流电极层上；下层部件包括：底层交流电极层，底层交流电极层分别与上桥臂芯片、第一上层交流电极层和第二上层交流电极层连接。本发明能够使得并联开关管芯片分组反相并联设置，相邻两组桥臂之间在同一平面内反向并联，能够减小寄生电感及提高开关性能。