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公开(公告)号：CN105247691A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480000097.4
申请日：2014-02-12
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B6/131 , G02B6/4295 , G02B2006/12061 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 一种雪崩光电二极管及其制造方法，涉及通信领域，能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题，该雪崩光电二极管包括：绝缘体上锗GeOI衬底；本征锗I-Ge吸收层(31)，用于吸收光信号，产生光生载流子；第一p型锗硅SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24)，第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22)，其中，锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20％；第一二氧化硅SiO2氧化层(72)，第二二氧化硅SiO2氧化层(73)；第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12)；n型重掺杂硅Si倍增层(13)；阳极电极(61)和阴极电极(62)。
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公开(公告)号：CN104749706B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510112986.6
申请日：2015-03-13
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明公开了一种硅光隔离器，第一目标波导段用于使第二分光信号从第一分支耦合器的第二分支向第一定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第二目标波导段用于使第一分光信号从第一定向耦合器的第四端口向第二定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第三目标波导段用于使第二分光信号从第一定向耦合器的第三端口向第二定向耦合器的第一端口传输时产生的非互易相移；第四目标波导段用于使第一分光信号从第二定向耦合器的第三端口向互易相移器传输时产生的非互易相移；互易相移器用于使经过互易相移器的第一分光信号产生的互易相移。采用该方案，能够有效地减少磁场分布的面积，提高了磁场的利用效率。
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公开(公告)号：CN105247691B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201480000097.4
申请日：2014-02-12
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B6/131 , G02B6/4295 , G02B2006/12061 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 一种雪崩光电二极管及其制造方法，涉及通信领域，能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题，该雪崩光电二极管包括：绝缘体上锗GeOI衬底；本征锗I-Ge吸收层(31)，用于吸收光信号，产生光生载流子；第一p型锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22)，其中，锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20％；第一二氧化硅SiO2氧化层(72)，第二二氧化硅SiO2氧化层(73)；第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12)；n型重掺杂硅Si倍增层(13)；阳极电极(61)和阴极电极(62)。(23)、第二p型锗硅SiGe层(24)，第一锗硅SiGe层
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779709A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210227512.6
申请日：2022-03-08
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , G01S7/489 , G01S7/486
Abstract: 本申请实施例公开了一种光电探测器、接收端设备和工作模式切换方法，提高了光电探测器的探测范围，可以同时满足远距离和近距离的探测需求。光电探测器包括自底层至顶层依次排列的下接触层、倍增层、电荷电极层、吸收层和上接触层。下接触层上形成有第一电极，上接触层上形成有第二电极，电荷电极层上形成有第三电极，电荷电极层用于电场调控。光电探测器具有高增益工作模式和低增益工作模式，光电探测器在低增益工作模式下对电信号的增益小于在高增益工作模式下对电信号的增益。当第二电极和第三电极上加载第一电压时光电探测器处于低增益工作模式。当第一电极和第二电极上加载第二电压时光电探测器处于高增益工作模式。
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公开(公告)号：CN115332383A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110513633.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , G01S7/4865 , G01S17/894
Abstract: 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种APD、APD的制备方法、探测器及激光雷达系统，APD包括：第一电极、衬底层、缓冲层、增益层、渐变层、吸收层、扩散阻挡层、接触层和第二电极，增益层、渐变层和吸收层依次纵向排布，增益层、渐变层和吸收层位于缓冲层和扩散阻挡层之间；增益层包括至少两个增益单元，各增益单元堆叠排布；每个增益单元包括纵向排布的倍增层和电荷层，电荷层与渐变层之间的距离小于倍增层与渐变层之间的距离，可以通过多个倍增层和多个电荷层进行控制形成APD的增益平坦区，可以提高APD的温度稳定性，降低APD的温度漂移，可以降低APD在温度发生变化时的增益变化程度，从而可以提高APD的可靠性。
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公开(公告)号：CN104749706A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510112986.6
申请日：2015-03-13
IPC: G02B6/26
CPC classification number: G02F1/0955
Abstract: 本发明公开了一种硅光隔离器，第一目标波导段用于使第二分光信号从第一分支耦合器的第二分支向第一定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第二目标波导段用于使第一分光信号从第一定向耦合器的第四端口向第二定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第三目标波导段用于使第二分光信号从第一定向耦合器的第三端口向第二定向耦合器的第一端口传输时产生的非互易相移；第四目标波导段用于使第一分光信号从第二定向耦合器的第三端口向互易相移器传输时产生的非互易相移；互易相移器用于使经过互易相移器的第一分光信号产生的互易相移。采用该方案，能够有效地减少磁场分布的面积，提高了磁场的利用效率。
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公开(公告)号：CN102916071B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210302467.2
申请日：2012-08-23
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种光电二极管及其制作方法，涉及光电技术领域，能够降低能量的损耗。该光电二极管包括：位于底层的衬底；覆盖衬底的下包层凸台，下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于入射波方向始端的宽度，且下包层凸台在入射波方向的末端的两侧边平行，下包层凸台在入射波方向的始端的两侧边平行；覆盖下包层凸台的入射波导芯层；覆盖入射波导芯层的上包层；位于上包层上方的光匹配层，光匹配层包括：光匹配层前端和光匹配层后端，其中光匹配层前端包含有沿入射波方向延伸的至少一条空气缝，且空气缝将光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元；位于光匹配层后端中部上方的雪崩光电二极管。本发明的实施例应用于光电二极管制造。
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公开(公告)号：CN102916071A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210302467.2
申请日：2012-08-23
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种光电二极管及其制作方法，涉及光电技术领域，能够降低能量的损耗。该光电二极管包括：位于底层的衬底；覆盖衬底的下包层凸台，下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于入射波方向始端的宽度，且下包层凸台在入射波方向的末端的两侧边平行，下包层凸台在入射波方向的始端的两侧边平行；覆盖下包层凸台的入射波导芯层；覆盖入射波导芯层的上包层；位于上包层上方的光匹配层，光匹配层包括：光匹配层前端和光匹配层后端，其中光匹配层前端包含有沿入射波方向延伸的至少一条空气缝，且空气缝将光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元；位于光匹配层后端中部上方的雪崩光电二极管。本发明的实施例应用于光电二极管制造。
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