一种并联式混合集成注入锁定DFB激光器

    公开(公告)号:CN107565382B

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201710801552.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种并联式混合集成注入锁定DFB激光器。该DFB激光器包括主激光器芯片和从激光器芯片,二者并联封装在同一个管壳内,主激光器的输出口通过第一耦合光纤连接到环形器的第一端口,从激光器的输出口通过第二耦合光纤连接到环形器的第二端口,环形器的第三端口作为并联式混合集成注入锁定DFB激光器的注入锁定激光输出口,并且环形器中的激光从第一端口到第二端口再到第三端口单向传输。本发明的激光器采用了重构‑等效啁啾技术制作激光器的取样光栅结构,并通过分别向主激光器和从激光器的供电电极提供控制电流来精确控制激光注入锁定,在环境适应性、工作稳定性等方面具有明显优势。

    基于重构-等效啁啾的非对称等效切趾取样光栅及激光器

    公开(公告)号:CN103762500B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201310617711.9

    申请日:2013-11-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器,激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅,该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的,并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅;腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小,向两端逐渐增大的趋势,有效减弱空间烧孔效应,提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性;等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称,对光的反馈作用不相等,既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性,又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。

    分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法

    公开(公告)号:CN105445836A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201610022368.7

    申请日:2016-01-13

    CPC classification number: G02B5/1857 H01S5/125 H01S5/34326

    Abstract: 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法,该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中,制备激光器中布拉格光栅的方法包括:在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶,所述光栅材料层位于金属n电极上;按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比,通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光,并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉,其中,所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分,所述N的值为大于1的正整数;采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉,从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。

    基于重构-等效啁啾的非对称等效切趾取样光栅及激光器

    公开(公告)号:CN103762500A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310617711.9

    申请日:2013-11-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器,激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅,该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的,并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅;腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小,向两端逐渐增大的趋势,有效减弱空间烧孔效应,提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性;等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称,对光的反馈作用不相等,既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性,又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。

    一种混合集成双平衡调制DFB激光器及双平衡调制系统

    公开(公告)号:CN107565384B

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201710802081.0

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种混合集成双平衡调制DFB激光器。该激光器包括封装在同一个管壳内的第一激光器芯片、第二激光器芯片和平面光波导耦合器,第一激光器芯片的输出口和第二激光器芯片的输出口合路到平面光波导耦合器,平面光波导耦合器的输出口连接耦合光纤。本发明还公开了一种双平衡调制系统,包括上述混合集成双平衡调制DFB激光器,以及相互连接的射频分束器、第一T型偏置器和第二T型偏置器。通过上述混合集成双平衡调制DFB激光器和双平衡调制系统可以将无线射频信号稳定调制到第一、第二激光器芯片产生的激光上,激光的波长能够得到精确控制,输出的调制信号在功率动态范围、环境适应性、信号非失真性、稳定性等方面具有明显优势。

    一种并联式混合集成注入锁定DFB激光器

    公开(公告)号:CN107565382A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710801552.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种并联式混合集成注入锁定DFB激光器。该DFB激光器包括主激光器芯片和从激光器芯片,二者并联封装在同一个管壳内,主激光器的输出口通过第一耦合光纤连接到环形器的第一端口,从激光器的输出口通过第二耦合光纤连接到环形器的第二端口,环形器的第三端口作为并联式混合集成注入锁定DFB激光器的注入锁定激光输出口,并且环形器中的激光从第一端口到第二端口再到第三端口单向传输。本发明的激光器采用了重构-等效啁啾技术制作激光器的取样光栅结构,并通过分别向主激光器和从激光器的供电电极提供控制电流来精确控制激光注入锁定,在环境适应性、工作稳定性等方面具有明显优势。

    多周期调制结构分布反馈半导体激光器及方法

    公开(公告)号:CN103545710A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310454348.3

    申请日:2013-09-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 多周期调制(MCPM)分布反馈(DFB)半导体激光器,其特征是采用多段周期调制布拉格光栅结构,即在均匀光栅的不同位置处插入多段周期调制光栅多段周期调制光栅的周期大于均匀光栅的周期;多段是二段以上;在均匀光栅的不同位置处插入的多段周期调制光栅的周期是相同的,但是长度可以相同或不同。该发明利用多段周期调制结构,使得沿着腔长分布的载流子密度和场强分布更加均匀,助于抑制空间烧孔效应(SHB),而是激光器保持稳定的单模特性。基于REC技术的多周期调制结构的DFB半导体激光器,采用采样布拉格光栅对于普通布拉格光栅的等效光栅来实现多周期调制结构,降低了工艺的复杂程度,也提高了成品率。

    基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾取样光栅及其DFB激光器

    公开(公告)号:CN103972790A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410214717.6

    申请日:2014-05-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾的取样光栅及其DFB激光器,所述等效切趾取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计的取样布拉格光栅结构,该光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,重构-等效切趾取样光栅中的非对称相移是等效相移区的位置偏离腔长度中心,偏向激光输出端,且在光栅腔长度的50%~80%位置区域范围内,并在等效相移区左右两侧引入切趾长度和切趾程度相同的等效切趾。相移的偏移有效增大输出端的光功率,腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度在相移区附近小,向两端逐渐增大的趋势,有效减弱空间烧孔效应,提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性。

    一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法

    公开(公告)号:CN105552717B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201610082345.5

    申请日:2016-02-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本申请公开了一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法。该方法包括:制作用于构成激光器混合模式谐振腔的光栅;其中所述光栅用于实现激光器谐振腔中相同波长的激光以两种以上的模式共同发射;所述光栅包含相移结构;通过后续工艺,制备激光器;所述后续工艺包括刻蚀工艺和沉积金属工艺。本发明解决了现有技术中的模分复用光子集成芯片的光源光耦合损耗大的问题。

    分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法

    公开(公告)号:CN105445836B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610022368.7

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法,该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中,制备激光器中布拉格光栅的方法包括:在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶,所述光栅材料层位于金属n电极上;按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比,通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光,并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉,其中,所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分,所述N的值为大于1的正整数;采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉,从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。

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