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公开(公告)号：CN105161977A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510644999.8
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种非对称相移和切趾取样光栅及DFB激光器。该方案中取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计与制造，即，取样光栅中的非对称相移是通过在取样光栅结构中引入等效相移，并将等效相移的位置放在DFB半导体激光器的腔的长度的55％～75％区域内，靠近激光器出光一端；切趾是通过在等效相移区两侧制作对称的齿深逐渐变化的光栅来改变光栅的耦合系数而实现的。在本方案中，相移的偏移可以有效增加DFB半导体激光器的出光功率，光栅的齿深变化实现的切趾效应可以有效降低相移区附近的折射率调制强度，有效减弱了空间烧孔效应。总体上，本发明提出的结构有效的提高了DFB半导体激光器的出光功率，保证了大功率工作条件下的单纵模特性。
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公开(公告)号：CN104124611B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410196125.6
申请日：2014-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构‑等效啁啾技术的单片集成注入锁定DFB激光器，主激光器和从激光器制作在同一衬底上或集成在同一芯片上，主激光器和从激光器共用同一波导结构；主激光器和从激光器之间有电隔离区，保证主激光器和从激光器能够单独运转；主激光器和从激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层、绝缘层和正负电极；主、从激光器均为DFB激光器，主、从激光器的光栅均是使用重构‑等效啁啾技术设计的取样光栅，利用主、从激光器中至少一个激光器的激射波长，然后通过调节主、从激光器的直流偏执电流对主、从激光器的波长进行微调。
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公开(公告)号：CN105207055A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510644601.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅及DFB激光器。所述取样光栅中含有通过重构-等效啁啾技术引入的相移，相移位于整个取样光栅中心的+/-5％区域范围内，相移被引入了除0级之外的所有影子光栅中；取样光栅中的切趾是通过先在衬底上制作金属镍为掩膜的取样光栅结构，再经过光刻和干法刻蚀这两步工艺的多次重复制作光栅齿深逐渐变化的取样光栅结构实现的，半边切趾是指只改变取样光栅一侧的光栅齿深变化，即DFB半导体激光器出光端一侧；等效相移区和另外一侧的光栅齿深均采用最大值。所述的DFB半导体激光器中含有上面制作的基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅。
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公开(公告)号：CN104779520A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510134181.1
申请日：2015-03-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构—等效啁啾的快速可调谐半导体激光器，采用串联与并联混合方式将不同工作波长的基于重构—等效啁啾技术的DFB激光器集成在同一激光器集成芯片构成激光器矩阵结构，芯片中的每一个激光器的波长都已经固定，且满足国际标准，激光器矩阵设有相应的矩阵电压控制，通过控制电流注入大小和电路选择开关来选择其中一个激光器工作，激光器矩阵结构中的各串联激光器之间分别采用一个电隔离区来减小相邻激光器之间的电串扰，从而实现对每个激光器的波长独立控制；串并联激光器矩阵中的不同波长光信号通过耦合后从同一根波导输出；重构—等效啁啾技术用于设计激光器阵列矩阵中单个DFB半导体激光器，当需要某一个波长时，就点亮对应的DFB激光器。
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公开(公告)号：CN104638514A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310548890.5
申请日：2013-11-08
Applicant: 南京大学科技园发展有限公司
IPC: H01S5/12
Abstract: 基于重构-等效啁啾技术的低成本可调谐半导体激光器的方法及装置，属于光电子技术领域，涉及复杂分布反馈可调谐半导体激光器的设计和制作。本发明目的是采用低成本制造的重构-等效啁啾技术，为未来的WDM-PON市场提供低成本的可调谐分布反馈半导体激光器，其基础技术是把多个不同波长的分布反馈半导体激光器通过串联方式集成在同一个芯片上，并提供相邻激光器芯片之间串扰隔离的方式。本发明采用串联结合的方式将不同工作波长的基于重构-等效啁啾技术的DFB激光器集成在一起，通过电流来选择其中的一个激光器工作，并且可以通过调节温度或者电流来控制该激光器的工作波长，从而实现激光器工作波长的连续调谐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104638511A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310548888.8
申请日：2013-11-08
Applicant: 南京大学科技园发展有限公司
Abstract: 基于重构-等效啁啾技术的低成本可调谐半导体激光器的方法及装置，属于光电子技术领域，涉及复杂分布反馈可调谐半导体激光器的设计和制作。本发明目的是采用低成本制造的重构-等效啁啾技术，为未来的WDM-PON市场提供低成本的可调谐分布反馈半导体激光器，其基础技术是把多个不同波长的分布反馈半导体激光器通过串联/并联混合方式集成在同一个芯片上，并提供相邻激光器芯片之间串扰隔离的方式。本发明采用串联/并联结合的方式将不同工作波长的基于重构-等效啁啾技术的DFB激光器集成在一起，通过电流来选择其中的一个激光器工作，并且可以通过调节温度或者电流来控制该激光器的工作波长，从而实现激光器工作波长的连续调谐。
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公开(公告)号：CN117879704A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410044846.9
申请日：2024-01-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 南京大学
IPC: H04B10/079 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及下一代通信系统和激光传感领域，提出一种激光波长调谐时间和调谐瞬态波长的检测系统及方法，用于测量可调谐激光器波长变化的时间以及测算在波长扫描调谐过程中的瞬态波长。本发明利用保偏光纤搭建的不等臂马赫‑曾德干涉仪，将激光器波长调谐过程中波长的变化转换为强度的振荡，并通过光电探测器和示波器记录该强度振荡过程，由此可以测量激光器在波长调谐中的波长变化时间；在此基础上，通过测量起始波长和最终稳定波长的具体数值，通过对一个振荡周期对应的时间进行采样，可以进一步测算在波长扫描调谐过程中的瞬时波长。本发明具有结构较简单，强度变化信号特征明显，且适用于任意波段等优势。
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公开(公告)号：CN117420636A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311500246.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合的微波信号时延器件，涉及微波光子技术和光子集成技术领域，通过对光载射频/微波信号的可控时延实现射频/微波的相位控制。产生时延的核心部分是光程长度不等的时延波导阵列芯片，使用硅基光波导实现；加载有射频/微波信号的光载波通过1×N光开关(Optical Switch)选择进入对应的时延波导中，实现对信号产生特定时延；之后通过光电探测器(Photo Detector，PD)接收将光信号转换成微波信号输出。器件中，硅光延迟线和探测器都是单片集成阵列芯片的形式，使用光学引线键合(Photonic Wire Bonding，PWB)技术作为实现不同芯片之间光耦合的方法。
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公开(公告)号：CN105445836A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610022368.7
申请日：2016-01-13
CPC classification number: G02B5/1857 , H01S5/125 , H01S5/34326
Abstract: 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。
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公开(公告)号：CN105552717B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610082345.5
申请日：2016-02-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请公开了一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法。该方法包括：制作用于构成激光器混合模式谐振腔的光栅；其中所述光栅用于实现激光器谐振腔中相同波长的激光以两种以上的模式共同发射；所述光栅包含相移结构；通过后续工艺，制备激光器；所述后续工艺包括刻蚀工艺和沉积金属工艺。本发明解决了现有技术中的模分复用光子集成芯片的光源光耦合损耗大的问题。
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