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公开(公告)号：CN103762500B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310617711.9
申请日：2013-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅，该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的，并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅；腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性；等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称，对光的反馈作用不相等，既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性，又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。
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公开(公告)号：CN103762500A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310617711.9
申请日：2013-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅，该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的，并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅；腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性；等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称，对光的反馈作用不相等，既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性，又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124611A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410196125.6
申请日：2014-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构-等效啁啾技术的单片集成注入锁定DFB激光器，主激光器和从激光器制作在同一衬底上或集成在同一芯片上，主激光器和从激光器共用同一波导结构；主激光器和从激光器之间有电隔离区，保证主激光器和从激光器能够单独运转；主激光器和从激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层、绝缘层和正负电极；主、从激光器均为DFB激光器，主、从激光器的光栅均是使用重构-等效啁啾技术设计的取样光栅，利用主、从激光器中至少一个激光器的激射波长，然后通过调节主、从激光器的直流偏执电流对主、从激光器的波长进行微调。
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公开(公告)号：CN104124611B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410196125.6
申请日：2014-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构‑等效啁啾技术的单片集成注入锁定DFB激光器，主激光器和从激光器制作在同一衬底上或集成在同一芯片上，主激光器和从激光器共用同一波导结构；主激光器和从激光器之间有电隔离区，保证主激光器和从激光器能够单独运转；主激光器和从激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层、绝缘层和正负电极；主、从激光器均为DFB激光器，主、从激光器的光栅均是使用重构‑等效啁啾技术设计的取样光栅，利用主、从激光器中至少一个激光器的激射波长，然后通过调节主、从激光器的直流偏执电流对主、从激光器的波长进行微调。
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公开(公告)号：CN104779520A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510134181.1
申请日：2015-03-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构—等效啁啾的快速可调谐半导体激光器，采用串联与并联混合方式将不同工作波长的基于重构—等效啁啾技术的DFB激光器集成在同一激光器集成芯片构成激光器矩阵结构，芯片中的每一个激光器的波长都已经固定，且满足国际标准，激光器矩阵设有相应的矩阵电压控制，通过控制电流注入大小和电路选择开关来选择其中一个激光器工作，激光器矩阵结构中的各串联激光器之间分别采用一个电隔离区来减小相邻激光器之间的电串扰，从而实现对每个激光器的波长独立控制；串并联激光器矩阵中的不同波长光信号通过耦合后从同一根波导输出；重构—等效啁啾技术用于设计激光器阵列矩阵中单个DFB半导体激光器，当需要某一个波长时，就点亮对应的DFB激光器。
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公开(公告)号：CN103762497A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310545540.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，切趾是通过沿激光器腔长方向逐渐改变取样光栅的取样结构即占空比的大小来等效地实现的，并且只在等效相移区的一侧取样光栅中引入等效切趾即所述的等效半边切趾。
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公开(公告)号：CN103972790A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410214717.6
申请日：2014-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾的取样光栅及其DFB激光器，所述等效切趾取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计的取样布拉格光栅结构，该光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，重构-等效切趾取样光栅中的非对称相移是等效相移区的位置偏离腔长度中心，偏向激光输出端，且在光栅腔长度的50％～80％位置区域范围内，并在等效相移区左右两侧引入切趾长度和切趾程度相同的等效切趾。相移的偏移有效增大输出端的光功率，腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度在相移区附近小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性。
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