公开(公告)号：CN113690145A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111149055.5

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  戴晨东 ,  熊云海 ,  许多 ,  李志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/465 ,  H01L29/24 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10‑4Pa，射频功率为120W，中和器电流为500mA，离子束电流范围为80mA至100mA，离子束电压为从200V至280V，Ar流量为10sccm，O2流量为6sccm，刻蚀时间为6‑20秒。该方法操作简单，重复性好，对二维Bi2O2Se薄膜材料实现均匀减薄。

公开(公告)号：CN115876854A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111125704.8

申请日：2021-09-26

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  许多 ,  李俊吉 ,  李涵 ,  熊云海 ,  戴晨东 ,  熊光楷 ,  周钰凯 ,  张地杰

IPC: G01N27/327 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/483

Abstract: 本发明公开了一种基于InSe FET的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：(1)将机械剥离得到的超薄InSe材料作为FET传感器的沟道材料；(2)将SiO2/Si衬底上的超薄InSe通过ALD沉积Al2O3；(3)旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；(4)通过EBE得到高质量的源、漏电极；(5)再次沉积Al2O3钝化层；(6)通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；(7)利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；(8)将器件孵育在含有DNA探针的磷酸缓冲液中。本发明的InSe FET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的超低浓度核酸检测，同时具有核酸变异判断能力。