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公开(公告)号：CN115876854A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111125704.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01N27/327 , C12Q1/68 , G01N33/483
Abstract: 本发明公开了一种基于InSe FET的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：(1)将机械剥离得到的超薄InSe材料作为FET传感器的沟道材料；(2)将SiO2/Si衬底上的超薄InSe通过ALD沉积Al2O3；(3)旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；(4)通过EBE得到高质量的源、漏电极；(5)再次沉积Al2O3钝化层；(6)通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；(7)利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；(8)将器件孵育在含有DNA探针的磷酸缓冲液中。本发明的InSe FET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的超低浓度核酸检测，同时具有核酸变异判断能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105652833B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201511022692.0
申请日：2015-12-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06Q10/06
Abstract: 本发明公开了一种基于双向A*搜索的制造企业车间调度优化方法，步骤如下：根据系统加工工序构建系统的Petri网模型；将Petri网模型转化成算法的输入文件；构建标识向量、关联矩阵等相关变量用于Petri网演化和启发函数构建；构建A*算法的启发函数；采用系统起始状态标识和终止状态标识作为正向A*和反向A*算法的起始状态，分别向终止状态和起始状态开展A*搜索；判断任一方向搜索算法的最小代价值节点是否到达最终状态，或者是否为对向A*搜索OPEN表中的节点，如果是，从此节点向系统起始节点和终止节点回溯构造最优路径，输出系统的调度方案。本发明具有搜索节点数目少、更快找到最优调度方案的优点。
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公开(公告)号：CN105652833A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511022692.0
申请日：2015-12-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32252
Abstract: 本发明公开了一种基于双向A*搜索的制造企业车间调度优化方法，步骤如下：根据系统加工工序构建系统的Petri网模型；将Petri网模型转化成算法的输入文件；构建标识向量、关联矩阵等相关变量用于Petri网演化和启发函数构建；构建A*算法的启发函数；采用系统起始状态标识和终止状态标识作为正向A*和反向A*算法的起始状态，分别向终止状态和起始状态开展A*搜索；判断任一方向搜索算法的最小代价值节点是否到达最终状态，或者是否为对向A*搜索OPEN表中的节点，如果是，从此节点向系统起始节点和终止节点回溯构造最优路径，输出系统的调度方案。本发明具有搜索节点数目少、更快找到最优调度方案的优点。
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公开(公告)号：CN112323143B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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公开(公告)号：CN113690145A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111149055.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L21/465 , H01L29/24 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10‑4Pa，射频功率为120W，中和器电流为500mA，离子束电流范围为80mA至100mA，离子束电压为从200V至280V，Ar流量为10sccm，O2流量为6sccm，刻蚀时间为6‑20秒。该方法操作简单，重复性好，对二维Bi2O2Se薄膜材料实现均匀减薄。
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公开(公告)号：CN112323143A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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