公开(公告)号：CN117737297A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211150782.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 熊光楷 ,  周钰凯 ,  张地杰

IPC: C12Q1/70 ,  C12Q1/6825 ,  C12R1/93

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钨场效应晶体管的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：(1)使用机械剥离的方法得到层状WS2材料作为FET传感器的沟道材料；(2)将剥离出的WS2转移到SiO2/Si衬底上；(3)旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；(4)通过EBE技术蒸镀Cr/Au得到源漏电极；(5)沉积Al2O3钝化层；(6)通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；(7)利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；(8)将器件在含有DNA探针的磷酸缓冲液中孵育。本发明的WS2FET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的低浓度核酸检测。

公开(公告)号：CN115876854A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111125704.8

申请日：2021-09-26

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  许多 ,  李俊吉 ,  李涵 ,  熊云海 ,  戴晨东 ,  熊光楷 ,  周钰凯 ,  张地杰

IPC: G01N27/327 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/483

Abstract: 本发明公开了一种基于InSe FET的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：(1)将机械剥离得到的超薄InSe材料作为FET传感器的沟道材料；(2)将SiO2/Si衬底上的超薄InSe通过ALD沉积Al2O3；(3)旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；(4)通过EBE得到高质量的源、漏电极；(5)再次沉积Al2O3钝化层；(6)通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；(7)利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；(8)将器件孵育在含有DNA探针的磷酸缓冲液中。本发明的InSe FET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的超低浓度核酸检测，同时具有核酸变异判断能力。