公开(公告)号：CN119663176A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410857278.4

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张玲珑 ,  方睿 ,  康健 ,  杨顺顺

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/54 ,  C30B29/54 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种与温度相关的调控#imgabs0#能量转移效率的方法，首先制备二维有机无机异质结结构，接着将异质结样品放入冷台中，放置在荧光光谱仪下，然后连接控温设备，就能控制样品温度以调节样品的#imgabs1#能量转移效率。本发明为二维材料的FRET调节提供了新的角度，提高层间电荷和能量转移的见解，该研究对检测纳米尺度的相互作用具有重要意义，在生物医学、传感和成像等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN116261375A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310199706.4

申请日：2023-03-04

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张玲珑 ,  杨顺顺 ,  刘友文 ,  田夫果

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/16 ,  H10K30/10

Abstract: 本发明公开了一种能产生层间激子的二维有机无机异质结及其制备方法，制备步骤包括：S1.物理气相传输法制备双层并五苯晶体；S2.机械剥离法或化学气相沉积法制备单层硒化钨晶体；S3.利用干法转移将单层硒化钨转移到双层并五苯上制备得到单层硒化钨/双层并五苯异质结。本发明通过设计能带排列，采用干法转移工艺制备出能产生层间激子的二维单层硒化钨/双层并五苯异质结。

公开(公告)号：CN116364566A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310199705.X

申请日：2023-03-04

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张玲珑 ,  杨顺顺 ,  零彤 ,  刘友文 ,  康健 ,  陈帅

IPC: H01L21/60 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种耐低温的引线键合方法，包括以下步骤：1)将电极干法转移至测试样品上，使两者充分接触；2)将导线放置在电极旁，远离测试样品的一侧；3)将耐低温的金属铟压扁并切割成条形，然后将铟条覆盖住电极和导线；4)将透明悬臂下放至压实，使铟条与电极和导线充分接触，同时保证铟条不接触样品；5)将透明悬臂抬起，二维半导体电学测试器件制备完成。本发明并不需要传统的引线键合设备，制备的电学测试器件导电性良好，在83K的低温下可以稳定工作。

公开(公告)号：CN115764539A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211503562.9

申请日：2022-11-28

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 杜宗伦 ,  曹群生 ,  张玲珑 ,  杨顺顺

IPC: H01S5/0239 ,  H01S5/02326 ,  G02F1/31

Abstract: 本发明专利公开了激光二极管激励的光控半导体异质结微波开关，包括介质基底(1)、介质基底(1)上印刷设有缝隙的金属条带(2)，缝隙用于加载半导体异质结(3)，半导体异质结(3)使用激光二极管(4)激励。本发明使用光控技术实现微波开关的有源控制功能，摒除了电控微波开关受PIN管、变容二极管等有源集总器件的限制，创立新型的电子信号导通开关模式和操控电磁波的传输功能。该开关可在取代电控微波开关，并在用于电磁屏蔽和通信系统中的多功能设备等方面都有重要的应用前景。