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公开(公告)号：CN117804650A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311717674.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种MEMS压力传感器，包括：传感器本体，传感器本体具有开口的容纳空间；信号采集组件，部分信号采集组件设于容纳空间内且背离容纳空间的开口端；膜片，膜片覆盖容纳空间的开口端；阻挡件，阻挡件固设于容纳空间内，阻挡件位于膜片与信号采集组件之间，阻挡件能够使液体介质在膜片与信号采集组件之间流动。本公开的MEMS压力传感器，当膜片受到外部较大压力时，膜片朝向传感器本体的容纳空间的方向产生形变，当膜片接触到设置在膜片和信号采集组件之间的阻挡件时，阻挡件阻止膜片的进一步变形，从而避免膜片发生破损，避免外部液体泄漏到MEMS压力传感器内。
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公开(公告)号：CN119085931A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411206974.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种MEMS压力传感器非线性校正方法、系统、设备及介质。方法包括：获取MEMS压力传感器的输出值；将所述输出值输入预先建立的非线性校正模型，得到MEMS压力传感器的非线性校正值；其中，所述非线性校正模型通过模因粒子群优化算法对支持向量机进行参数优化预先建立。本公开的实施例利用高效的MPSO‑SVM非线性校正算法进行MEMS压力传感器的非线性补偿，较好地解决了小样本、非线性的问题，保持了粒子群的多样性，采用自适应调整，使算法在解搜索空间的遍历性得到改善。通过软件算法提升现有MEMS压力传感器的测量精度，可减少硬件更新频率，从而降低压力传感器生产成本和设备维护成本。
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公开(公告)号：CN115265854A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210892300.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种压力传感器及其制备方法，压力传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤S100，对硅衬底的第一侧表面蚀刻并形成限位平台，所述限位平台的顶面与所述硅衬底的第一侧表面之间具有间隙；步骤S200，在所述硅衬底的第一侧沉积牺牲层，通过所述牺牲层在所述硅衬底的第一侧制作结构层，并在所述结构层上设置压敏电阻；步骤S300，对所述结构层进行蚀刻，以在结构层的底层薄膜上间隔形成多个支撑部，所述底层薄膜和多个所述支撑部共同构成梁膜结构；其中，所述底层薄膜的底面与所述限位平台的顶面之间形成预设预设距离。本发明的一个技术效果在于，设计合理，不仅能够发挥较好的抗过载作用，而且能够大大提高压力传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112067189B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202011247291.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有四周介质隔离杯结构的压力传感器及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成包井缓冲层，在包井缓冲层中形成压敏电阻层，对压敏电阻层进行刻蚀，得到压敏电阻以及环绕压敏电阻设置的介质隔离环，在压敏电阻的四周形成介质隔离杯结构，在包井缓冲层和压敏电阻上形成第一绝缘钝化层，以及形成贯穿第一绝缘钝化层的金属化过孔，在第一绝缘钝化层上形成金属引线，金属引线通过金属化过孔与压敏电阻电连接，以制备得到压力传感器。本发明能够缓冲外界环境变化带来的影响，大大提高器件的可靠性。另外，本发明可以有效减少电流泄漏，提高可靠性。同时，本发明可以使该结构在180℃以上的高温稳定工作，成本低，可靠性高。
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公开(公告)号：CN112510144B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110144177.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
IPC: H01L41/113 , H01L41/04 , H01L41/22
Abstract: 本发明提供一种具有应力加强筋的压力传感器及其制备方法，方法包括：分别提供SOI晶圆、硅晶圆和衬底；在SOI晶圆正面形成压敏单元；图形化SOI晶圆背面以获得第一通孔，第一通孔与压敏单元相连接；将硅晶圆背面与SOI晶圆正面键合；图形化衬底正面以获得第二通孔和空腔，第二通孔与第一通孔相对应；将图形化后的衬底正面与SOI晶圆背面键合，以使第二通孔与第一通孔连通；金属化第一通孔和第二通孔以获得导电通道，导电通道与压敏单元电连接；在硅晶圆正面形成应力加强筋，应力加强筋与压敏单元相对应，得到压力传感器。本发明以应力加强筋作为应力集中区，应力集中优势明显，制作简单，可靠性高，大大提高器件的线性度和灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112510144A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202110144177.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
IPC: H01L41/113 , H01L41/04 , H01L41/22
Abstract: 本发明提供一种具有应力加强筋的压力传感器及其制备方法，方法包括：分别提供SOI晶圆、硅晶圆和衬底；在SOI晶圆正面形成压敏单元；图形化SOI晶圆背面以获得第一通孔，第一通孔与压敏单元相连接；将硅晶圆背面与SOI晶圆正面键合；图形化衬底正面以获得第二通孔和空腔，第二通孔与第一通孔相对应；将图形化后的衬底正面与SOI晶圆背面键合，以使第二通孔与第一通孔连通；金属化第一通孔和第二通孔以获得导电通道，导电通道与压敏单元电连接；在硅晶圆正面形成应力加强筋，应力加强筋与压敏单元相对应，得到压力传感器。本发明以应力加强筋作为应力集中区，应力集中优势明显，制作简单，可靠性高，大大提高器件的线性度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN115265854B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210892300.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种压力传感器及其制备方法，压力传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤S100，对硅衬底的第一侧表面蚀刻并形成限位平台，所述限位平台的顶面与所述硅衬底的第一侧表面之间具有间隙；步骤S200，在所述硅衬底的第一侧沉积牺牲层，通过所述牺牲层在所述硅衬底的第一侧制作结构层，并在所述结构层上设置压敏电阻；步骤S300，对所述结构层进行蚀刻，以在结构层的底层薄膜上间隔形成多个支撑部，所述底层薄膜和多个所述支撑部共同构成梁膜结构；其中，所述底层薄膜的底面与所述限位平台的顶面之间形成预设预设距离。本发明的一个技术效果在于，设计合理，不仅能够发挥较好的抗过载作用，而且能够大大提高压力传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117387811A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311459980.7
申请日：2023-11-03
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
IPC: G01L1/22 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本公开的实施例公开了一种MEMS压力传感器及其温漂补偿方法和装置。所述方法包括：获取MEMS压力传感器的实际压力值和实际温度值；将所述MEMS压力传感器的所述实际压力值和所述实际温度值输入预先训练的基于BP神经网络的温漂补偿模型，预测得到所述MEMS压力传感器的压力补偿值；其中，所述温漂补偿模型采用目标压力值、目标温度值以及对应的目标压力补偿值预先训练得到。能够显著提高MEMS传感器的测量精度，确保传感器测量结果更加准确和可靠，增强了传感器的环境适应性，无需手动干预或校准，从而减轻了维护和操作的负担，提高了传感器的易用性。
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公开(公告)号：CN111855038A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010645406.0
申请日：2020-07-07
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器及其制备方法。压力传感器包括衬底、压力敏感单元、绝缘钝化层、导线层以及刻蚀停止层，压力敏感单元包括应力敏感膜、多个压敏电阻以及多根引线，衬底沿其厚度方向的第一表面设置有空腔，第一表面上设置有刻蚀停止层；应力敏感膜设置在刻蚀停止层上，多个压敏电阻设置在应力敏感膜背离衬底的一侧，多个压敏电阻平行间隔设置，通过多根引线电连接形成多平行环形惠斯通电桥；绝缘钝化层设置在压力敏感单元背离衬底的一侧，绝缘钝化层上设置有贯穿其厚度的多个金属化过孔；导线层设置在绝缘钝化层背离衬底的一侧，通过金属化过孔与对应的引线电连接。可以有效提高器件的线性度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN117804651A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311718216.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供一种MEMS压力传感器，包括：传感器本体和芯片，传感器本体具有容纳空间，芯片设于容纳空间内，传感器本体的外侧形成有密封槽，传感器本体上形成有隔离槽，隔离槽沿传感器本体的径向设于芯片与密封槽之间，隔离槽与密封槽为同心设置。本公开的MEMS压力传感器，当MEMS压力传感器安装到装配位置时，安装位置的装配应力通过密封件传递到密封槽的底部，装配应力沿着传感器本体的径向传递，当装配应力传递到与隔离槽时，隔离槽阻止装配应力继续向传感器本体的中心传递，即隔离槽将装配应力隔离在芯片的外侧，从而防止装配应力集中到芯片，避免装配应力影响芯片测量数据，保证MEMS压力传感器测量数据的准确性。
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