基于光子晶体的Mini-LED/Micro-LED全彩显示器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117038824A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310924096.X

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明涉及一种基于光子晶体的Mini‑LED/Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法,Mini‑LED/Micro‑LED全彩显示器件包括:驱动衬底,设置有驱动电路;发光单元,键合于驱动衬底,发光单元包括依次堆叠设置的n型电极层、缓冲层、n‑GaN层、蓝光多量子阱层、p‑GaN层和p型电极层;其中,发光单元还设置有隔离结构和光子晶体结构;隔离结构贯穿p型电极层、p‑GaN层和蓝光多量子阱层,以将发光单元划分为第一区域、第二区域和第三区域;光子晶体结构包括多个绿色光子晶体和多个红色光子晶体,绿色光子晶体和红色光子晶体分别位于第一区域和第二区域;绿色光子晶体和红色光子晶体皆贯穿缓冲层并延伸至n‑GaN层;本发明可以实现同一像素点同一位置的不同颜色的发光。

    显示器件及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114497416A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210084550.0

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本申请公开了一种显示器件及其制备方法,本申请的显示器件包括基板、反射层、第一微腔调节层、第一半透明金属层、第二微腔调节层和第二半透明金属层。反射层设置于基板表面;第一微腔调节层设置于反射层远离基板的一侧;第一半透明金属层设置于第一微腔调节层远离反射层的一侧;第二微腔调节层设置于第一半透明金属层远离第一微腔调节层的一侧;第二半透明金属层设置于第二微腔调节层远离第一半透明金属层的一侧。本申请通过设置第一微腔调节层来调节广角干涉、设置第二微腔调节层来调节多光束干涉,使得广角干涉和多光束干涉在目标光谱形成相长干涉,从而对微腔效应进行优化,提高显示器件的取光效率;此外,能够窄化光谱、提高色纯度。

    基于光子晶体的Mini-LED/Micro-LED全彩显示器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119400785A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202310987788.9

    申请日:2023-08-07

    Abstract: 本发明涉及一种基于光子晶体的Mini‑LED/Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法,Mini‑LED/Micro‑LED全彩显示器件包括:驱动衬底,设置有驱动电路;至少三个颜色的发光单元,键合于驱动衬底,每一个发光单元皆为蓝光Mini‑LED/Micro‑LED芯片加工制备而得,每一个发光单元包括依次堆叠设置的缓冲层、n‑GaN层、蓝光多量子阱层和p‑GaN层;每一个所述发光单元还包括控制电极,所述控制电极包括p型电极层和n型电极层;每个发光单元还可以还设有贯穿缓冲层并延伸至n‑GaN层的绿色光子晶体结构或者红色光体结构,而形成绿色发光单元或者红色发光单元,未设置光子晶体结构的发光单元为蓝色发光单元;在阵列排布的相邻三个发光单元包括了红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元。

    分布布拉格反射镜、Micro-LED全彩显示器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117577755A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311319871.5

    申请日:2023-10-11

    Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜、Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法,分布布拉格反射镜包括依次叠加生长的多个重复单元层,重复单元层包括高低折射率的量子点层和介质材料层;量子点层为红光量子点层;或者量子点层为绿光量子点层。分布布拉格反射镜不仅具有反射滤光功能,而且还获得了光转彩功能,作为红光量子点的分布布拉格反射镜能将蓝光转彩为红光,作为绿光量子点的分布布拉格反射镜能将蓝光转彩为绿光。由此可知,量子点层分布在分布布拉格反射镜的各个周期中,无需一次性沉积过厚的量子点层,相比仅用量子点材料对蓝光进行吸收而言,本专利提供的方案可以在大大降低量子点膜层厚度的前提下,还能够实现对蓝光的有效过滤。

    量子点显示器件制造方法、量子点显示器件

    公开(公告)号:CN114388720B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202111463607.X

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括:对基底层进行图案刻画,以划分发光功能区域;在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层;在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层;对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画,以划分不同颜色的子像素区域;在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料,得到量子发光层;在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法,能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示,并且不会破坏量子点材料。

    量子点显示器件制造方法、量子点显示器件

    公开(公告)号:CN114388720A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111463607.X

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括:对基底层进行图案刻画,以划分发光功能区域;在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层;在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层;对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画,以划分不同颜色的子像素区域;在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料,得到量子发光层;在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法,能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示,并且不会破坏量子点材料。

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