公开(公告)号：CN1499595A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310103500.X

申请日：2003-11-10

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 松崎富夫 ,  新井一能

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在由氧化硅构成的绝缘膜(3)的上面设置由聚酰亚胺构成的保护膜(5)。在保护膜(5)的上面设置的凹部(7、107)内或者保护膜(5)的上面设置由铜构成的重布线(8)。这时，凹部(7、107)的深度比重布线(8)的厚度深。在重布线(8)的连接垫部分的上面设置由铜构成的柱状电极(10)。在包含重布线8的保护膜(5)的上面设置由环氧类树脂构成的密封膜(11)。在柱状电极(10)的上面设置焊锡珠(12)。于是，通过在包含柱状电极(10)的下部的重布线(8)之间存在比重布线(8)的上表面更高的保护膜(5)，可以使由所谓的离子迁移引起的短路难于发生。

公开(公告)号：CN100375255C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200310103500.X

申请日：2003-11-10

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 松崎富夫 ,  新井一能

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在由氧化硅构成的绝缘膜(3)的上面设置由聚酰亚胺构成的保护膜(5)。在保护膜(5)的上面设置的凹部(7、107)内或者保护膜(5)的上面设置由铜构成的重布线(8)。这时，凹部(7、107)的深度比重布线(8)的厚度深。在重布线(8)的连接垫部分的上面设置由铜构成的柱状电极(10)。在包含重布线8的保护膜(5)的上面设置由环氧类树脂构成的密封膜(11)。在柱状电极(10)的上面设置焊锡珠(12)。于是，通过在包含柱状电极(10)的下部的重布线(8)之间存在比重布线(8)的上表面更高的保护膜(5)，可以使由所谓的离子迁移引起的短路难于发生。