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公开(公告)号：CN105669838A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510884880.8
申请日：2015-12-04
Applicant: 厦门大学 , 北京万泰生物药业股份有限公司
IPC: C07K7/08 , C07K14/04 , C07K19/00 , C12N7/04 , C12N15/38 , C07K16/08 , C12N5/20 , C12N15/70 , C12N15/81 , C12N15/83 , C12N15/86 , C12N5/10 , A61K39/395 , A61P31/22 , G01N33/68 , G01N33/577
CPC classification number: C07K7/08 , A61K39/395 , C07K14/005 , C07K16/088 , C07K19/00 , C12N2710/16023 , C12N2710/16034 , G01N33/577 , G01N33/68
Abstract: 本发明涉及来自水痘-带状疱疹病毒gE蛋白的中和表位肽(或其变体)，包含此类中和表位肽(或其变体)和载体蛋白的重组蛋白，以及此类中和表位肽(或其变体)和重组蛋白的用途。本发明还涉及针对此类中和表位肽的抗体，产生所述抗体的细胞株，以及它们的用途。本发明还涉及包含所述中和表位肽或重组蛋白的疫苗，包含所述抗体的药物组合物，以及它们的用途，例如，它们可用于预防和/或治疗水痘-带状疱疹病毒感染或与所述感染相关的一种或多种疾病或症状。
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公开(公告)号：CN113549146B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010339682.4
申请日：2020-04-26
Applicant: 北京万泰生物药业股份有限公司 , 厦门大学
IPC: C07K16/10 , G01N33/577 , G01N33/569 , A61K39/42 , A61P31/14
Abstract: 本发明涉及免疫学领域和病毒学领域，特别是柯萨奇病毒B1型的诊断、预防和治疗领域。具体而言，本发明涉及针对柯萨奇病毒B1型的单克隆抗体或其抗原结合片段，以及包含所述抗体或其抗原结合片段的组合物(例如，诊断剂和治疗剂)。此外，本发明还涉及所述抗体或其抗原结合片段的用途。本发明的抗体或其抗原结合片段可用于诊断、预防和/或治疗柯萨奇病毒B1型的感染和/或由所述感染引起的疾病。
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公开(公告)号：CN109568350B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201710902185.9
申请日：2017-09-29
IPC: C12N7/00
Abstract: 本发明涉及病毒领域和肿瘤治疗领域。具体而言，本发明涉及柯萨奇病毒B组3型(CVB3)或其修饰形式，或包含CVB3或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子，用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的用途，以及在制备用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的药物组合物中的用途。本发明还涉及一种治疗肿瘤的方法，其包括向有此需要的受试者施用CVB3或其修饰形式，或包含CVB3或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子的步骤。
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公开(公告)号：CN111769087A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010460602.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN108766897B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110387353A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810338046.2
申请日：2018-04-16
Abstract: 本发明涉及病毒领域和肿瘤治疗领域。具体而言，本发明涉及CVB1或其修饰形式，或包含CVB1或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子，用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的用途，以及在制备用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的药物组合物中的用途。本发明还涉及一种治疗肿瘤的方法，其包括向有此需要的受试者施用CVB1或其修饰形式，或包含CVB1或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子的步骤。
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公开(公告)号：CN109276580A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710600732.8
申请日：2017-07-21
IPC: A61K35/765 , A61K48/00 , A61P35/00 , C12N7/01
Abstract: 本发明涉及病毒领域和肿瘤治疗领域。具体而言，本发明涉及肠道病毒68型(EV-D68)或其修饰形式，或包含EV-D68或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子，用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的用途，以及在制备用于在受试者(例如，人)中治疗肿瘤的药物组合物中的用途。本发明还涉及一种治疗肿瘤的方法，其包括向有此需要的受试者施用EV-D68或其修饰形式，或包含EV-D68或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列，或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子的步骤。
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公开(公告)号：CN116751288A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310799919.0
申请日：2020-04-26
Applicant: 北京万泰生物药业股份有限公司 , 厦门大学
IPC: C07K16/10 , G01N33/577 , G01N33/569 , A61K39/42 , A61P31/14
Abstract: 本发明涉及免疫学领域和病毒学领域，特别是柯萨奇病毒B1型的诊断、预防和治疗领域。具体而言，本发明涉及针对柯萨奇病毒B1型的单克隆抗体或其抗原结合片段，以及包含所述抗体或其抗原结合片段的组合物(例如，诊断剂和治疗剂)。此外，本发明还涉及所述抗体或其抗原结合片段的用途。本发明的抗体或其抗原结合片段可用于诊断、预防和/或治疗柯萨奇病毒B1型的感染和/或由所述感染引起的疾病。
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公开(公告)号：CN116731164A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310799920.3
申请日：2020-04-26
Applicant: 北京万泰生物药业股份有限公司 , 厦门大学
IPC: C07K16/10 , G01N33/577 , G01N33/569 , A61K39/42 , A61P31/14
Abstract: 本发明涉及免疫学领域和病毒学领域，特别是柯萨奇病毒B1型的诊断、预防和治疗领域。具体而言，本发明涉及针对柯萨奇病毒B1型的单克隆抗体或其抗原结合片段，以及包含所述抗体或其抗原结合片段的组合物(例如，诊断剂和治疗剂)。此外，本发明还涉及所述抗体或其抗原结合片段的用途。本发明的抗体或其抗原结合片段可用于诊断、预防和/或治疗柯萨奇病毒B1型的感染和/或由所述感染引起的疾病。
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公开(公告)号：CN109256364B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端‑TSV射频转接板‑结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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