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公开(公告)号：CN108766897B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109256364B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端‑TSV射频转接板‑结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107256850A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710611140.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L23/3672 , H01L23/5384
Abstract: 本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。
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公开(公告)号：CN109560054A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811541540.5
申请日：2018-12-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , B81C3/00
Abstract: 本发明提出了一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构及其制造方法，通过三维垂直结构微流道系统设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上分流冷却大功率射频芯片热点然后拾阶而下流出，实现了高密度芯片的同时高效散热的功能，解决了传统微流道低导热性及金属微流道制造工艺兼容性等难题，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107256850B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710611140.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452689A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710826807.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L23/13 , H01L21/76898 , H01L23/5384 , H01L23/5386
Abstract: 本发明公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本发明还公开了其制作方法及在封装上的应用，利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN109256364A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端-TSV射频转接板-结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108766897A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN207134348U
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201721177329.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本实用新型公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本实用新型利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209418488U
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201822115274.1
申请日：2018-12-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , B81C3/00
Abstract: 本实用新型提出了一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，通过三维垂直结构微流道系统设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上分流冷却大功率射频芯片热点然后拾阶而下流出，实现了高密度芯片的同时高效散热的功能，解决了传统微流道低导热性及金属微流道制造工艺兼容性等难题，具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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