一种高效分离Sr2+和Cs+的方法

    公开(公告)号:CN114752783A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210427875.4

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种高效分离Sr2+和Cs+的方法,该方法包含:采用D2EHAG或DODGAA为萃取剂,在室温、pH≥8.0的条件下,将含有Sr2+与Cs+的乏燃料后处理废液与萃取剂混合,离心,Sr2+被吸附在萃取剂中;在上层萃取剂层采用酸性试剂进行反萃或在上层萃取剂层中加入水洗后再在上层萃取剂层中加入酸性试剂进行反萃,离心,Sr2+被反萃至水相中。本发明使用的三齿酰胺萃取剂D2EHAG、DODGAA对Sr2+具有一步直接分离的效果,这是以往的萃取剂都没有出现过的。本发明的方法可以直接从Sr2+、Cs+混合溶液中一步直接提取出Sr2+。

    一种高熵稀土基六硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119059824A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202410402685.6

    申请日:2024-04-03

    Abstract: 本发明公开一种高熵稀土基六硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用,所述高熵稀土基六硼化物陶瓷材料具有以下化学通式:RE(AE)xB6,其中:RE选自稀土元素La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Yb,Tm,Lu,Sc和Y中的至少三种,AE选自碱土元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Ra中的一种,x为0.2~0.5。本发明高熵稀土基六硼化物陶瓷粉体晶粒小且分布均匀,具有良好的光学性能,即高的太阳能吸收率和高红外发射率以及良好的高温热稳定性。同时本发明高熵稀土基六硼化物陶瓷材料的制备工艺流程简单操作条件可控,易于产业化推广应用。

    一种稀土中高熵铪酸盐基陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114988869B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202210501873.5

    申请日:2022-05-09

    Abstract: 本发明涉及控制棒材料领域,具体涉及一种稀土中高熵铪酸盐陶瓷材料及其制备方法和应用,所述中高熵稀土铪酸盐陶瓷材料的化学式为:(REaTmbDycMd)4Hf3O12;其中,RE选自Tb、Ho、Gd中的至少一种;M选自Eu和/或Er,a=0.2或0.25或1/3,b=0.2或0.25或1/3,c=0.2或0.25或1/3,d=0.2或0。本发明的中高熵稀土铪酸盐陶瓷为框架制备的稀土铪酸盐中子吸收控制棒材料具有优异的抗辐照性能,是一种极具前景的中子控制棒材料。

    一种高效分离Sr2+和Cs+的方法

    公开(公告)号:CN114752783B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202210427875.4

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种高效分离Sr2+和Cs+的方法,该方法包含:采用D2EHAG或DODGAA为萃取剂,在室温、pH≥8.0的条件下,将含有Sr2+与Cs+的乏燃料后处理废液与萃取剂混合,离心,Sr2+被吸附在萃取剂中;在上层萃取剂层采用酸性试剂进行反萃或在上层萃取剂层中加入水洗后再在上层萃取剂层中加入酸性试剂进行反萃,离心,Sr2+被反萃至水相中。本发明使用的三齿酰胺萃取剂D2EHAG、DODGAA对Sr2+具有一步直接分离的效果,这是以往的萃取剂都没有出现过的。本发明的方法可以直接从Sr2+、Cs+混合溶液中一步直接提取出Sr2+。

    一种稀土中高熵铪酸盐基陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114988869A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210501873.5

    申请日:2022-05-09

    Abstract: 本发明涉及控制棒材料领域,具体涉及一种稀土中高熵铪酸盐陶瓷材料及其制备方法和应用,所述中高熵稀土铪酸盐陶瓷材料的化学式为:(REaTmbDycMd)4Hf3O12;其中,RE选自Tb、Ho、Gd中的至少一种;M选自Eu和/或Er,a=0.2或0.25或1/3,b=0.2或0.25或1/3,c=0.2或0.25或1/3,d=0.2或0。本发明的中高熵稀土铪酸盐陶瓷为框架制备的稀土铪酸盐中子吸收控制棒材料具有优异的抗辐照性能,是一种极具前景的中子控制棒材料。

    一种堆用中子控制用稀土中高熵铪酸盐陶瓷材料

    公开(公告)号:CN115572162B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202210466605.4

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明属于稀土中高熵陶瓷材料技术领域,提出了一种堆用中子控制用稀土中高熵铪酸盐陶瓷材料,稀土高熵铪酸盐陶瓷材料的化学式为:(RE0.2Sm0.2Eu0.2Dy0.2Er0.2)2Hf2O7,RE为Nd或Gd。稀土中熵铪酸盐陶瓷材料的化学式为:(Sm1/3Eu1/3Gd1/3)2Hf2O7。本发明制备的稀土中高熵铪酸盐陶瓷,由于参与结构的金属离子有五种稀土离子,由于稀土离子具有较为独特的电子层结构以及较大的中子吸收截面,这使其在中子控制棒领域展现出较好的应用前景。

    一种稀土基锡酸盐高熵辐射制冷陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118324513A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410322545.8

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本发明公开一种稀土基锡酸盐高熵辐射制冷陶瓷材料及其制备方法。本发明采用固相合成法制备稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料,制备工艺简单,合成得到的稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料的纯度高,可大规模应用。本发明的稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料一方面稀土离子因其独特的电子层表现出良好的光学性质,在可见‑近红外波段表现出高的反射率;另一方面,应用高熵的“晶格畸变”效应通过引入尺寸差异更大的稀土元素从而进一步增大晶格畸变程度,使得稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料在中红外波段具有高的发射率。

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