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公开(公告)号：CN101281925B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810082115.4
申请日：2008-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/861 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/0657 , H01L29/42312 , H01L29/66356
Abstract: 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。
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公开(公告)号：CN100590885C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710137094.7
申请日：2007-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/28097 , H01L21/82345 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种P型金属氧化物半导体装置及半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电层的界面，且在该铂高峰区中铂浓度较镍浓度约大于5%。
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公开(公告)号：CN1172357C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02101726.3
申请日：2002-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L29/66795 , H01L29/7854
Abstract: 本发明揭示一种制造具有近环绕(quasi-surrounding)栅极的绝缘体上有硅(SOI)的半导体器件的方法。根据本发明的方法，可得到一种MOSFET半导体器件，其栅极电极几乎包围整个沟道区域，而达到体积反转(volume-inversion)的效果，可大幅增加该半导体器件的单位电流，亦可控制短沟道效应(SCE)的发生，而减少亚阈值漏电(sub-thresholdleakage)。此外，本发明的方法可以传统方式制造不同栅极长度的器件。
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公开(公告)号：CN100481462C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610140647.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L29/78 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，包括：一基板，一核心电路以及一静态随机存取存储器晶胞；其中上述静态随机存取存储器晶胞包括一提升电位P型金属氧化物半导体晶体管，包括：一第一源/漏极区，位于上述基板中；一第一锗化硅应激物，位于上述基板中，部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区；以及一第一电流调整区，部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区；以及其中上述核心电路包括一核心P型金属氧化物半导体晶体管，其包括：一第二源/漏极区，位于上述基板中；一第二锗化硅应激物，位于上述基板中，部分重叠于至少一部分的上述第二源/漏极区；以及其中上述核心P型金属氧化物半导体晶体管无电流调整区。
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公开(公告)号：CN1368756A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN02101726.3
申请日：2002-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L29/66795 , H01L29/7854
Abstract: 本发明揭示一种制造具有近环绕(quasi－surrounding)闸极的绝缘层上有矽(SOI)的半导体装置的方法;根据本发明的方法,可得到一种MOSFET半导体装置,其闸极电极几乎包围整个通道区域,而达到体积反转(Volume－inversion)的效果,可大幅增加该半导体装置的单位电流亦可控制短通道效应(SCE)的发生,而减少次临限漏电(sub－threshold leakage);此外,本发明的方法可以传统方式制造不同闸极长度的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1933153A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610127222.5
申请日：2006-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L21/76807 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一半导体元件及制造镶嵌结构中的金属绝缘金属电容的方法。一第一层间导电接孔形成于且穿过一层间介电层以及一介电蚀刻停止层。该介电蚀刻停止层设于该层间介电层之下，且该导电接孔接触设于该介电蚀刻停止层下的一第一内连接结构。一金属绝缘金属电容，包含有一第一平板电极、一第二平板电极以及一第二层间导电接孔。该第一平板电极形成于设于该介电蚀刻停止层下的一第二内连接结构之上。该第二平板电极形成于该介电蚀刻停止层上，且大致的与该第一平板电极平行且相重叠。该第二层间导电接孔形成于且穿过该层间介电层，且与该第二平板电极相接触。本发明避免了使用超薄栅氧化层所产生的大电容所伴随的高漏电。
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公开(公告)号：CN1301556C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410029691.4
申请日：2004-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种CMOS组件及其制造方法，其结构包括将栅极电极设于基底上，将源极/漏极设于栅极电极两侧的基底中，将应力缓冲衬层顺应性地配置于栅极电极两侧且部分延伸至基底表面，并将应力层设于栅极电极、应力缓冲衬层和源极/漏极上，且与应力缓冲衬层接触，藉以提高栅极电极下方基底中的通道区的应力。
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公开(公告)号：CN101281925A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810082115.4
申请日：2008-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/861 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/0657 , H01L29/42312 , H01L29/66356
Abstract: 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。
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公开(公告)号：CN101276835A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710137094.7
申请日：2007-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/28097 , H01L21/82345 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种P型金属氧化物半导体装置及半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电层的界面，且在该铂高峰区中铂浓度较镍浓度约大于5％。
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公开(公告)号：CN101055872A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200610140647.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L29/78 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，包括：一基板，一核心电路以及一静态随机存取存储器晶胞；其中上述静态随机存取存储器晶胞包括一提升电位P型金属氧化物半导体晶体管，包括：一第一源/漏极区，位于上述基板中；一第一锗化硅应激物，位于上述基板中，部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区；以及一第一电流调整区，部分重叠于至少一部分的上述第一源/漏极区；以及其中上述核心电路包括一核心P型金属氧化物半导体晶体管，其包括：一第二源/漏极区，位于上述基板中；一第二锗化硅应激物，位于上述基板中，部分重叠于至少一部分的上述第二源/漏极区；以及其中上述核心P型金属氧化物半导体晶体管无电流调整区。
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